Теория. Вольтамперная характеристика идеального p-n – диода описывается моделью Шокли, согласно которой зависимость тока от напряжения на выводах даётся выражением

Вольтамперная характеристика идеального p-n – диода описывается моделью Шокли, согласно которой зависимость тока от напряжения на выводах даётся выражением

(1)

где - ток насыщения (обратный ток диода при ). Точно такое же выражение получается для ВАХ диода Шоттки в моделях Бете и Давыдова-Пекара-Шоттки. Экспоненциальная зависимость от напряжения обусловлена в обоих случаях надбарьерным механизмом прохождения тока. Однако физические интерпретации тока насыщения для p-n – диода и диода Шоттки совершенно различны. В первом случае он определяется экстракцией неосновных носителей заряда, во втором – эмиссией или диффузией основных носителей заряда.

Для учёта отклонений от идеальных моделей формула (1) модифицируется – в показатель экспоненты вводится коэффициент неидеальности m,

(2)

Основные причины отклонения от идеальности p-n –диода – падение напряжения на последовательном сопротивлении, рекомбинация и генерация носителей в ОПЗ, утечки. В диоде Шоттки имеют значения только первая и последняя причины.

Токи насыщения и коэффициенты неидеальности – важные параметры диодов. По их температурным зависимостям можно определить физические параметры структур – ширины запрещённой зоны полупроводника.