Диоды с накоплением заряда

В некоторых случаях использования импульсных диодов, например, в схемах формирователей прямоугольных импульсов с крутыми фронтами, важную роль играет отношение , которое должно быть как можно меньше. Такой переходный процесс наблюдается у диодов, база которых легирована неравномерно. В этих диодах, получивших наименование диодов с накоплением заряда (ДHЗ), концентрация примесей в базе монотонно увеличивается по мере удаления от перехода. Потому и концентрация основных подвижных носителей оказывается неравномерной. В базе из n-полупроводника электроны диффундируют к переходу и обнажают вдали от перехода положительные ионы примеси. Таким образом, в базе формируется электрическое поле, вектор которого направлен к переходу. Под действием этого поля дырки, инжектированные в базу, дрейфуют обратно к переходу, "прижимаются" к границе запирающего слоя, где образуется объемный заряд дырок повышенной плотности. При переключении напряжения с прямого на обратное эти дырки втягиваются полем перехода за достаточно малое время. Вследствие этого явления время в таких диодах значительно меньше, чем в диодах с однородной базой.