Виведення розрахункової формули

Знайдемо залежність опору чистого напівпровідника від температури.

 
 

Концентрація електронів у зоні провідності пропорційна ймовірності перебування їх у цій зоні, тобто функції розподілу Фермі–Дірака:

 

Як показують розрахунки, рівень Фермі в чистому напівпровіднику

при T=0 розташований посередині забороненої зони (рис.5). Якщо в чистому напівпровіднику відраховувати енергію від стелі валентної зони, то W-WF=DW/2, де DW – ширина забороненої зони. Оскільки електропровідність g пропорційна концентрації електронів n, то

 
 

В області низьких температур (Т®0) значення експоненти

тому g=0. тобто при низьких температурах напівпровідник поводиться як діелектрик.

В області кімнатних температур значення експоненти eDW/2kТ значно більше одиниці. Тому нехтуючи одиницею в знаменнику, одержимо:

тобто з підвищенням температури електропровідність напівпровідників

 
 

зростає. Механізм такого росту зв'язаний з тим, що з підвищенням температури збільшується концентрація вільних електронів у зоні провідності. Оскільки опір R обернено пропорційний електропровідності, то

 
 

тобто з підвищенням температури опір напівпровідника падає (рис.6).

У той же час опір металів з підвищенням температури зростає:

R= R0(1+a t) (2)

де a - температурний коефіцієнт опору, а t – температура в шкалі Цельсія. Це зв'язано з тим, що з підвищенням температури зростає число зіткнень електронів з іонами кристалічної ґратки, амплітуда коливань яких збільшується з ростом Т. Помітимо, що такий механізм є універсальним, однак, для напівпровідників він не грає істотної ролі, тому що тут домінуючим є процес зростання концентрації вільних носіїв струму з підвищенням температури.

Метою роботи є дослідження температурної залежності опору напівпровідника і металу.

Напівпровідникові опори (термістори) – прилади, у яких використовується істотна зміна опору зі зміною температури, у зв'язку з чим вони знаходять широке застосування з метою регулювання процесів, де необхідний температурний контроль.

Визначивши залежність опору напівпровідника від температури, можна розрахувати ширину забороненої зони. Для цього прологарифмуємо вираз (1), запишемо його для двох різних температур і візьмемо різницю. В результаті одержимо:

  (3)

де =1.38 ×10-23 Дж/K – стала Больцмана.

Важливою характеристикою провідника є температурний коефіцієнт опору, що визначає відносну зміну опору при підвищенні температури на :

  (4)

Взявши похідну від виразу (1), одержимо для термоопору:

aтерм = -DW/(2kТ2) (5)

Знак “мінус” у виразі (5) означає, що з підвищенням температури опір термістора зменшується.

З врахуванням того, що для металу залежність R від T є лінійною, вираз (4) можна перетворити до вигляду:

  (6)  

3. Експериментальна частина (варіант №1)

Досліджувані напівпровідниковий і металевий опори поміщені в термостат з нагрівачем, мішалкою і термометром. Спочатку в термостаті встановлюється кімнатна температура, при якій вимірюють опір термістора і металу. Потім включають на якийсь час нагрівач і, піднявши температуру в ньому на 5-70С, знову вимірюють опір. Такі виміри опорів через кожні 5-70С продовжують до 50-600С, зробивши не менше 10 вимірів. У процесі вимірів повинна безупинно працювати мішалка термостата. Опори термістора і металу вимірюють, використовуючи нульовий метод моста постійного струму.

Результати вимірювань заносять в таблицю.

    №   t,0C T, K 1/T ´10-3 Термоопір Метал
Rет, Ом Відношення плеч Rтерм Ком lnR Rет Ом Відношения плеч Rмет Ом
……     …… ……     …… ……   ……     …… ……     …………     …………     …… ……     …… ……     …… ……     …… ……

 








Дата добавления: 2015-01-15; просмотров: 1073;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.005 сек.