Общие сведения. 1. Савельев И.В. Курс общей физики

1. Савельев И.В. Курс общей физики. - М.: Астрель, АСТ, 2003. - Кн. 5, § 3.4.

2. Сивухин Д.В.Общий курс физики. Атомная и ядерная физика. - М.: Физматлит, МФТИ. 2003. - § 14.

Глава 3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Общие сведения

Биполярный транзистор это электропреобразовательный прибор, имеющий два p-n перехода, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции носителей заряда. В работе этого транзистора используются носители обоих знаков (дырки и электроны). Особенностью биполярного транзистора является то, что между его электронно-дырочными переходами существует взаимодействие - ток одного из переходов может управлять током другого. В зависимости от расположения зон различной проводимости биполярные транзисторы могут быть p-n-p и n-p-n типа (рис. 26 )

Рис. 26. Схематическое и условное изображение биполячрных транзисторо

Область транзистора, расположенная между p-n переходами называют базой. Одна из прилегающих к базе областей должна эффективно осуществлять инжекцию носителей в базу, а другая - экстрагировать носители из базы.

Область транзистора, из которой происходит инжекция носителей в базу , называется эмиттером, а переход эмиттер-база называется эмиттерным.

Область транзистора, осуществляющая экстракцию носителей из базы, называют коллектором, а переход база-коллектор называется коллекторным.

По технологии изготовления транзисторы бывают сплавными, диффузионными/, эпитаксиальными, планарными. Толщина базы делается значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей в ней. При равномерном распределении примеси в базе внутреннее электрическое поле в ней отсутствует и неосновные носители движутся в следствие процесса диффузии. Такие транзисторы называются диффузионными или бездрейфовыми. При неравномерном распределении примеси в базе имеется внутреннее электрическое поле и неосновные носители движутся в ней в результате дрейфа и диффузии. Такие транзисторы называются дрейфовыми.

Концентрации атомов примеси в эмиттере и коллекторе (низкоомные области) значительно больше, чем в базе (высокоомная область). Площадь коллекторного перехода больше эмиттерного, что способствует увеличению коэффициента переноса носителей заряда из эмиттера в коллектор.

Транзисторы классифицируются по мощности, рассеиваемой коллекторным переходом (малой мощности Р 0,3 Вт); средней (0,3 Р 1,5 Вт); большой мощности (Р 1,5 Вт). По частотному диапазону транзисторы делятся на низкочастотные (f_пр 3 МГц); среднечастотные

(3 МГц f_пр 30 МГц); высокочастотные (30 МГц f_пр 300 МГц); сверхвысокочастотные (f_пр 300 МГц).

Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или семи элементов. Первый - буква или цифра, указывающие на исходный материал (такие же, как для диодов). Второй элемент - буква, указывающая на тип

Таблица 1.