Справочные данные диодов и транзисторов
5.2.1 Эксплуатационные данные стабилитронов.
Таблица 2.
Тип стабилитрона | UСТ В | Imin мA | Imax мA | PДОП мВт | ξ %/оС | rД Ом |
КС107А | 0,7 | – 0,082 | ||||
КС130А | 3,0 | – 0,07 | ||||
КС131А | 3,1 | – 0,067 | ||||
КС135А | 3,5 | – 0,065 | ||||
КС138А | 3,8 | – 0,062 | ||||
КС140А | 4,0 | – 0,06 |
Таблица 2. Продолжение.
КС142Б | 4,2 | – 0,05 | ||||
КС147А | 4,7 | – 0,02 | ||||
КС156Б | 5,6 | + 0,02 | ||||
КС168Б | 6,8 | + 0,03 | ||||
КС170А | 0,05 | |||||
2С190Б | 0,065 | |||||
КС210А | 0,075 | |||||
КС210В | 0,078 | |||||
КС212В | 0,080 | |||||
КС213Б | 0,085 | |||||
КС213Г | 0,088 |
5.2.2 Транзисторы малой мощности германиевые и кремниевые p-n-p-типа
Таблица 3.
№ | Тип транзистора | IK мА | UKЭ В | В | РК мВт | Тип транзистора | IK мА | UKЭ В | В | РК мВт |
ГТ108Б | КТ104Б | |||||||||
ГТ115Б | КТ104Г | |||||||||
ГТ305А | КТ203Г | |||||||||
ГТ305В | КТ203В | |||||||||
ГТ308А | КТ343А | |||||||||
ГТ308В | КТ343В | |||||||||
ГТ309А | КТ349А | |||||||||
ГТ310Б | КТ349Б | |||||||||
ГТ320А | КТ351Б |
5.2.3 Транзисторы средней мощности германиевые и кремниевые.
Таблица 4.
№ | Тип транзистора | IK мА | UKЭ В | В | РК Вт | Тип транзистора | IK мА | UKЭ В | В | РК Вт |
ГТ404А | 1,6 | КТ603Б | 1,5 | |||||||
ГТ404Б | 1,6 | КТ604 | 1,4 | |||||||
ГТ404Г | 1,5 | КТ605 | 1,5 | |||||||
ГТ612А | 1,4 | КТ608Б | 1,5 | |||||||
ГТ612Б | 1,8 | КТ616Б | 1,3 | |||||||
ГТ612Г | 1,9 | КТ617А | 1,5 | |||||||
ГТ614А | 1,1 | КТ611В | 1,8 | |||||||
ГТ614В | 1,0 | КТ618А | 1,5 | |||||||
ГТ618А | 1,2 | КТ503Б | 1,5 |
5.2.6 Тиристоры управляемые.
Таблица 5.
№ | Тип диода | IА мА | UА В | IУПР мА | РА Вт |
КУ101В | 0,15 | ||||
КУ101Г | 0,2 | ||||
КУ103А | 0,15 | ||||
КУ103В | 0,2 | ||||
КУ201А | |||||
КУ201Б | |||||
КУ201Д | |||||
КУ201Г |
5.2.7 Светоизлучающие диоды.
Таблица 6.
Тип диода | IПР мА | UОБР В | UПР B | Цвет свечения | |
АЛ102A | 3,2 | Красный | |||
АЛ102Б | 4,5 | Красный | |||
АЛ102В | 4,5 | Красный | |||
АЛ301Б | 3,8 | Красный | |||
3Л102Б | 3,8 | Красный | |||
АЛ304В | Зеленый | ||||
КЛ101A | 5,5 | Желтый | |||
КЛ101Б | 5,5 | Желтый |
5.3 Вольт-амперные характеристики транзисторов средней мощности РКдоп<3 Вт.
5.3.1 Вольт-амперные характеристики кремниевых транзисторов.
IК мА
1,5
UБЭ ,В
2,0
1,0
0,5
0,7
0,8
UКЭ=5 В
UКЭ,В
ΔIБ= 0,4 мА
Входная и выходная характеристики транзистора КТ604
0,9
IБ = 1,8 мА
2,2
1,4
1,0
IБ,мА
1,2
IБ ,мА
UБЭ ,В
1,6
0,8
0,4
0,7
0,8
UКЭ=5 В
IК,мА
UКЭ,В
0,9
IБ = 1,6 мА
2,0
1,2
0,8
Входная и выходная характеристики транзистора КТ605
1,2
IБ мА
UБЭ ,В
1,6
0,8
0,4
0,7
0,8
UКЭ=5 В
IК мА
UКЭ,В
0,9
IБ = 1,0 мА
1,2
0,8
0,6
Входная и выходная характеристики транзистора КТ618А
1,5
IБ мА
UБЭ ,В
2,0
1,0
0,5
0,7
0,8
UКЭ=5 В
IК мА
UКЭ,В
0,9
IБ = 1,2 мА
1,5
0,9
0,6
Входная и выходная характеристики транзистора КТ503Б
2,4
IБ мА
UБЭ ,В
3,0
1,6
0,8
0,7
0,8
UКЭ=5 В
IК мА
UКЭ,В
0,9
IБ = 2,1 мА
2,8
1,4
0,7
3,5
Входная и выходная характеристики транзистора КТ616Б
1,8
IБ мА
UБЭ ,В
2,4
1,2
0,6
0,7
0,8
UКЭ=10 В
IК мА
UКЭ,В
0,9
IБ = 1,8 мА
2,4
1,2
0,6
3,0
Входная и выходная характеристики транзистора КТ603Б
2,4
IБ мА
UБЭ ,В
3,0
1,6
0,8
0,7
0,8
UКЭ=10 В
IК мА
UКЭ,В
0,9
IБ = 1,8 мА
2,4
1,2
0,6
3,0
Входная и выходная характеристики транзистора КТ617А
2,4
IБ мА
UБЭ ,В
3,0
1,6
0,8
0,7
0,8
UКЭ=10 В
IК мА
UКЭ,В
0,9
IБ = 2,2 мА
3,0
1,4
0,6
3,8
Входная и выходная характеристики транзистора КТ630Б
5.3.2 Входные характеристики германиевых транзисторов средней
мощности типа n-р-n.
1,8
IБмА
2,4
1,2
0,6
0,1
0,2
UКЭ=5 В
0,3
UБЭВ
1,2
IБмА
1,6
0,8
0,4
0,1
0,2
UКЭ=5 В
0,3
UБЭВ
0,9
IБмА
1,2
0,6
0,3
0,1
0,2
UКЭ=5 В
0,3
UБЭВ
ГТ403А
П602И
ГТ403Б
1,5 |
IБ мА |
UБЭ ,В |
2,0 |
1,0 |
0,5 |
0,1 |
0,2 |
UКЭ=5 В |
0,3 |
1,5 |
IБ мА |
2,0 |
1,0 |
0,5 |
0,1 |
0,2 |
UКЭ=5 В |
0,3 |
2,4 |
IБ мА |
UБЭВ |
3,2 |
1,6 |
0,8 |
0,1 |
0,2 |
UКЭ=5 В |
ГТ402Д |
ГТ601А |
UБЭ ,В |
0,3 |
ГТ402И |
2,4
IБмА
3,2
1,6
0,8
0,1
0,2
UКЭ=5 В
0,3
UБЭВ
1,5
IБмА
2,0
1,0
0,5
0,1
0,2
UКЭ=5 В
0,3
UБЭВ
1,8
IБмА
2,4
1,2
0,6
0,1
0,2
UКЭ=5 В
0,3
UБЭВ
ГТ403И
П602Б
П605А
Литература
Основная:
1. Лачин В. И. Электроника: учеб.пособие /В. И.Лачин, Н. С. Савёлов.- Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс"2007.
2. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника: Учеб.пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 2002. 622 с.
3. Воробьёв Н. И. Проектирование электронных устройств: Учеб.пособие для вузов. М.: Высш. шк., 1989. 223 с.
4. Шустов М.А. Практическая схемотехника. Источники питания и стабилизаторы. – М. : Издательский дом «Додэка – ХХI», «Альтекс», 2007. 87 с.
5. Березин О.К., Костиков В.Г., Шахнов В.А. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры. – М. :Энергоатомиздат. 1985. 212 с.
Справочная:
6. Матвиенко В.А. Характеристики и параметры полупроводниковых приборов. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2007.
7. Молокова Г.Ф. Основные требования к оформлению дипломного проекта : Методические указания. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО
«СибГУТИ», 2005. 48 с.
8. Паутов В.И. Стабилизатор напряжения. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2011. 45 с.
9. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь1996.
10. Транзисторы для аппаратуры широкого применения; Справочник/ К.М.Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И.Давыдова и др. Под ред. Б.Л. Перельмана. М.: Радио и связь.1981. 512 с.
11. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1989. 640 с.
12. Усатенко С. Т., Каченюк Т. К., Терехова М. В. Выполнение электрических схем по ЕСКД: Справочник. М.: Издательство стандартов, 1989. 325 с.
13. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств/ Под ред. В.Н. Дулина и др. М.: Энергия, 1977. 210 с.
14. Отечественные стабилитроны. http://www.chipinfo.ru/dsheets/diodes/stablp.html
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение 1
Ряды номинальных сопротивлений резисторов и ёмкостей конденсаторов по гост 28884–90 (МЭК 63–63)
Номинальные сопротивления резисторов и ёмкостей конденсаторов постоянной ёмкости с допускаемыми отклонениями ±5% и более должны соответствовать числам, приведённым в таблице, и числам, полученным путём умножения этих чисел на 10 n, где n – целое положительное или отрицательное число.
Обозначение рядов | |||
Е24 | Е12 | Е24 | Е12 |
Допуск ±5% | Допуск ±10% | Допуск ±5% | Допуск ±10% |
1,0 | 1,0 | 3,3 | 3,3 |
1,1 | 3,6 | ||
1,2 | 1,2 | 3,9 | 3,9 |
1,3 | 4,3 | ||
1,5 | 1,5 | 4,7 | 4,7 |
1,6 | 5,1 | ||
1,8 | 1,8 | 5,6 | 5,6 |
2,0 | 6,2 | ||
2,2 | 2,2 | 6,8 | 6,8 |
2,4 | 7,5 | ||
2,7 | 2,7 | 8,2 | 8,2 |
3,0 | 9,1 |
Номинал 1,2. Это может быть 12 Ом, 120 Ом, 1,2 кОм и т.д.
Постоянные резисторы общего назначения могут работать в цепях постоянного и переменного токов. Наиболее распространены резисторы типа МЛТ (металлизированные лакированные теплостойкие). Их новое обозначение – резисторы С2-6. Маркировка резисторов – МЛТ-0,5 ±5%. Здесь 0,5 – допустимая мощность рассеивания в ваттах, ±5% –максимально допустимое отклонение от номинального параметра (ряд Е24). Ту же конструктивную форму и габариты имеют резисторы С2-6, МT, МТЕ, С2-23. Резисторы МТЕ имеют повышенную теплостойкость, а С2-23 - более жесткий допуск на величину сопротивления.
Приложение2
Пример оформления титульного листа
Федеральное агентство связи
ФГОБУ ВПО «СибГУТИ» УрТИСИ
Кафедра общепрофессиональных дисциплин технических специальностей
Дата добавления: 2014-12-13; просмотров: 2537;