Справочные данные диодов и транзисторов
5.2.1 Эксплуатационные данные стабилитронов.
Таблица 2.
| Тип
стабилитрона
| UСТ
В
| Imin
мA
| Imax
мA
| PДОП
мВт
| ξ
%/оС
| rД
Ом
|
| КС107А
| 0,7
|
|
|
| – 0,082
|
|
| КС130А
| 3,0
|
|
|
| – 0,07
|
|
| КС131А
| 3,1
|
|
|
| – 0,067
|
|
| КС135А
| 3,5
|
|
|
| – 0,065
|
|
| КС138А
| 3,8
|
|
|
| – 0,062
|
|
| КС140А
| 4,0
|
|
|
| – 0,06
|
|
Таблица 2. Продолжение.
| КС142Б
| 4,2
|
|
|
| – 0,05
|
|
| КС147А
| 4,7
|
|
|
| – 0,02
|
|
| КС156Б
| 5,6
|
|
|
| + 0,02
|
|
| КС168Б
| 6,8
|
|
|
| + 0,03
|
|
| КС170А
|
|
|
|
| 0,05
|
|
| 2С190Б
|
|
|
|
| 0,065
|
|
| КС210А
|
|
|
|
| 0,075
|
|
| КС210В
|
|
|
|
| 0,078
|
|
| КС212В
|
|
|
|
| 0,080
|
|
| КС213Б
|
|
|
|
| 0,085
|
|
| КС213Г
|
|
|
|
| 0,088
|
|
5.2.2 Транзисторы малой мощности германиевые и кремниевые p-n-p-типа
Таблица 3.
| №
| Тип
транзистора
| IK мА
| UKЭ В
| В
| РК мВт
| Тип
транзистора
| IK мА
| UKЭ В
| В
| РК мВт
|
|
| ГТ108Б
|
|
|
|
| КТ104Б
|
|
|
|
|
|
| ГТ115Б
|
|
|
|
| КТ104Г
|
|
|
|
|
|
| ГТ305А
|
|
|
|
| КТ203Г
|
|
|
|
|
|
| ГТ305В
|
|
|
|
| КТ203В
|
|
|
|
|
|
| ГТ308А
|
|
|
|
| КТ343А
|
|
|
|
|
|
| ГТ308В
|
|
|
|
| КТ343В
|
|
|
|
|
|
| ГТ309А
|
|
|
|
| КТ349А
|
|
|
|
|
|
| ГТ310Б
|
|
|
|
| КТ349Б
|
|
|
|
|
|
| ГТ320А
|
|
|
|
| КТ351Б
|
|
|
|
|
5.2.3 Транзисторы средней мощности германиевые и кремниевые.
Таблица 4.
| №
| Тип
транзистора
| IK мА
| UKЭ В
| В
| РК Вт
| Тип
транзистора
| IK мА
| UKЭ В
| В
| РК Вт
|
|
| ГТ404А
|
|
|
| 1,6
| КТ603Б
|
|
|
| 1,5
|
|
| ГТ404Б
|
|
|
| 1,6
| КТ604
|
|
|
| 1,4
|
|
| ГТ404Г
|
|
|
| 1,5
| КТ605
|
|
|
| 1,5
|
|
| ГТ612А
|
|
|
| 1,4
| КТ608Б
|
|
|
| 1,5
|
|
| ГТ612Б
|
|
|
| 1,8
| КТ616Б
|
|
|
| 1,3
|
|
| ГТ612Г
|
|
|
| 1,9
| КТ617А
|
|
|
| 1,5
|
|
| ГТ614А
|
|
|
| 1,1
| КТ611В
|
|
|
| 1,8
|
|
| ГТ614В
|
|
|
| 1,0
| КТ618А
|
|
|
| 1,5
|
|
| ГТ618А
|
|
|
| 1,2
| КТ503Б
|
|
|
| 1,5
|
5.2.6 Тиристоры управляемые.
Таблица 5.
| №
| Тип диода
| IА мА
| UА В
| IУПР мА
| РА Вт
|
|
| КУ101В
|
|
|
| 0,15
|
|
| КУ101Г
|
|
|
| 0,2
|
|
| КУ103А
|
|
|
| 0,15
|
|
| КУ103В
|
|
|
| 0,2
|
|
| КУ201А
|
|
|
|
|
|
| КУ201Б
|
|
|
|
|
|
| КУ201Д
|
|
|
|
|
|
| КУ201Г
|
|
|
|
|
5.2.7 Светоизлучающие диоды.
Таблица 6.
|
| Тип диода
| IПР мА
| UОБР В
| UПР B
| Цвет свечения
|
|
| АЛ102A
|
|
| 3,2
| Красный
|
|
| АЛ102Б
|
|
| 4,5
| Красный
|
|
| АЛ102В
|
|
| 4,5
| Красный
|
|
| АЛ301Б
|
|
| 3,8
| Красный
|
|
| 3Л102Б
|
|
| 3,8
| Красный
|
|
| АЛ304В
|
|
|
| Зеленый
|
|
| КЛ101A
|
|
| 5,5
| Желтый
|
|
| КЛ101Б
|
|
| 5,5
| Желтый
|
5.3 Вольт-амперные характеристики транзисторов средней мощности РКдоп<3 Вт.
5.3.1 Вольт-амперные характеристики кремниевых транзисторов.
| Входная и выходная характеристики транзистора КТ604
|
| Входная и выходная характеристики транзистора КТ605
|
| Входная и выходная характеристики транзистора КТ618А
|
| Входная и выходная характеристики транзистора КТ503Б
|
| Входная и выходная характеристики транзистора КТ616Б
|
| Входная и выходная характеристики транзистора КТ603Б
|
| Входная и выходная характеристики транзистора КТ617А
|
| Входная и выходная характеристики транзистора КТ630Б
|
5.3.2 Входные характеристики германиевых транзисторов средней
мощности типа n-р-n.
Литература
Основная:
1. Лачин В. И. Электроника: учеб.пособие /В. И.Лачин, Н. С. Савёлов.- Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс"2007.
2. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника: Учеб.пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 2002. 622 с.
3. Воробьёв Н. И. Проектирование электронных устройств: Учеб.пособие для вузов. М.: Высш. шк., 1989. 223 с.
4. Шустов М.А. Практическая схемотехника. Источники питания и стабилизаторы. – М. : Издательский дом «Додэка – ХХI», «Альтекс», 2007. 87 с.
5. Березин О.К., Костиков В.Г., Шахнов В.А. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры. – М. :Энергоатомиздат. 1985. 212 с.
Справочная:
6. Матвиенко В.А. Характеристики и параметры полупроводниковых приборов. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2007.
7. Молокова Г.Ф. Основные требования к оформлению дипломного проекта : Методические указания. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО
«СибГУТИ», 2005. 48 с.
8. Паутов В.И. Стабилизатор напряжения. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2011. 45 с.
9. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь1996.
10. Транзисторы для аппаратуры широкого применения; Справочник/ К.М.Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И.Давыдова и др. Под ред. Б.Л. Перельмана. М.: Радио и связь.1981. 512 с.
11. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1989. 640 с.
12. Усатенко С. Т., Каченюк Т. К., Терехова М. В. Выполнение электрических схем по ЕСКД: Справочник. М.: Издательство стандартов, 1989. 325 с.
13. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств/ Под ред. В.Н. Дулина и др. М.: Энергия, 1977. 210 с.
14. Отечественные стабилитроны. http://www.chipinfo.ru/dsheets/diodes/stablp.html
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение 1
Ряды номинальных сопротивлений резисторов и ёмкостей конденсаторов по гост 28884–90 (МЭК 63–63)
Номинальные сопротивления резисторов и ёмкостей конденсаторов постоянной ёмкости с допускаемыми отклонениями ±5% и более должны соответствовать числам, приведённым в таблице, и числам, полученным путём умножения этих чисел на 10 n, где n – целое положительное или отрицательное число.
| Обозначение рядов
|
| Е24
| Е12
| Е24
| Е12
|
| Допуск ±5%
| Допуск ±10%
| Допуск ±5%
| Допуск ±10%
|
| 1,0
| 1,0
| 3,3
| 3,3
|
| 1,1
| 3,6
|
| 1,2
| 1,2
| 3,9
| 3,9
|
| 1,3
| 4,3
|
| 1,5
| 1,5
| 4,7
| 4,7
|
| 1,6
| 5,1
|
| 1,8
| 1,8
| 5,6
| 5,6
|
| 2,0
| 6,2
|
| 2,2
| 2,2
| 6,8
| 6,8
|
| 2,4
| 7,5
|
| 2,7
| 2,7
| 8,2
| 8,2
|
| 3,0
| 9,1
|
Номинал 1,2. Это может быть 12 Ом, 120 Ом, 1,2 кОм и т.д.
Постоянные резисторы общего назначения могут работать в цепях постоянного и переменного токов. Наиболее распространены резисторы типа МЛТ (металлизированные лакированные теплостойкие). Их новое обозначение – резисторы С2-6. Маркировка резисторов – МЛТ-0,5 ±5%. Здесь 0,5 – допустимая мощность рассеивания в ваттах, ±5% –максимально допустимое отклонение от номинального параметра (ряд Е24). Ту же конструктивную форму и габариты имеют резисторы С2-6, МT, МТЕ, С2-23. Резисторы МТЕ имеют повышенную теплостойкость, а С2-23 - более жесткий допуск на величину сопротивления.
Приложение2
Пример оформления титульного листа
Федеральное агентство связи
ФГОБУ ВПО «СибГУТИ» УрТИСИ
Кафедра общепрофессиональных дисциплин технических специальностей
Дата добавления: 2014-12-13; просмотров: 2652;
