И микросхемотехника
Конспект лекций
для студентов направления 6070104 «Морской и речной транспорт»
специальности
«Эксплуатация судового электрооборудования и средств автоматики»,
направления 6.050702 «Электромеханика» специальности
«Электрические системы и комплексы транспортных средств»,
«Электромеханические системы автоматизации и электропривод»
дневной и заочной форм обучения
Керчь, 2012 г.
УДК 621.38:004.31
Авторы:Голиков С. П., к.т.н., доцент кафедры «Электрооборудование судов и автоматизация производства» (ЭСиАП) Керченского государственного морского технологического университета (КГМТУ), Жиленков А.А., ст. преподаватель кафедры ЭСиАП КГМТУ.
Рецензенты: Дворак Н.М., к.т.н., доцент,
Гильдебрандт А.И., к.в.н., доцент, директор КУНКЦ ХГТУ.
Конспект лекций рассмотрен и одобрен на заседании
кафедры ЭСиАП КМТИ, протокол № 6 от 11.01.2005 г.
Конспект лекций утвержден на ученом совете КМТИ,
протокол № 5 от 27.01.2005 г.
Конспект лекций рекомендован к переутверждению
на заседании кафедры ЭСиАП КГМТУ,
протокол № 3 от 12.10.2012 г.
Конспект лекций переутвержден на заседании методической
комиссии МФ КГМТУ, протокол № 6 от 06.12.2012 г.
Ó Керченский государственный морской
технологический университет, 2012 г.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение | |
1 ПАССИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ | |
1.1 Резисторы | |
1.2 Конденсаторы | |
1.3 Катушки индуктивности | |
1.4Трансформаторы | |
2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | |
2.1 Зонная теория твердого тела | |
2.2 Собственная электропроводность полупроводников | |
2.3 Примесные полупроводники | |
2.4 Полупроводниковые резисторы | |
2.5 Электронно-дырочный переход | |
2.5.1 Полупроводниковый р-п - переход в отсутствие внешних напряжений | |
2.5.2 Прямое смещение р-п-перехода | |
2.5.3 Обратное смещение р-п-перехода | |
2.5.4 Емкость р-п-перехода | |
3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ | |
3.1Диоды | |
3.1.1 Выпрямительные диоды | |
3.1.2Импульсные диоды | |
3.1.3 Кремниевые стабилитроны | |
3.1.4 Варикапы | |
3.1.5 Туннельные диоды | |
3.1.6 Фотодиоды | |
3.1.7 Светоизлучающие диоды | |
3.1.8 Диоды с барьером Шоттки | |
3.2 Транзисторы | |
3.2.1 Униполярные (полевые) транзисторы | |
3.2.1.1 Полевые транзисторы с р-п-переходом | |
3.2.1.2Полевые транзисторы с изолированным затвором (МОБРНТ или 31 МД11-транзисторы) | |
3.2.2 Однопереходные транзисторы | |
3.2.3 Биполярные транзисторы (ВТГ) | |
3.2.3.1 Принцип действия биполярного транзистора | |
3.2.3.2 Схемы включения транзисторов, параметры и характеристики | |
3.2.3.3 Транзистор как активный четырехполюсник,параметры транзистора | |
3.2.4 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (ГСВТ) | |
3.3 Тиристоры | |
3.3.1 Устройство и принцип действия | |
3.3.2 Основные параметры тиристоров | |
3.3.3 Симистор | |
3.3.4 Тиристоры с управляемым затвором (GТО-тиристоры) | |
3.3.5 Динамические характеристики GТО-тиристоров | |
4 УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ | |
4.1 Классификация усилителей | |
4.2 Усилительные каскады на биполярных транзисторах | |
4.2.1 Усилительный каскад ОЭ | |
4.2.2 Усилительный каскад ОК (эмиттерный повторитель) | |
4.3 Усилительные каскады на полевых транзисторах | |
4.4 Многокаскадные усилители | |
4.5 Амплитудно-частотная и фазо-частотная характеристики усилителя | |
4.6 Амплитудная характеристика усилителя | |
4.7 Усилители с обратной связью | |
4.8 Каскады усиления мощности | |
4.8.1 Классы усиления | |
4.8.2 Трансформаторный усилитель мощности класса А | |
4.8.3 Двухтактные усилительные каскады | |
4.8.4 Бестрансформаторные усилители мощности | |
4.9 Усилители постоянного гока | |
5 ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ | |
5.1 Основные параметры и характеристки | |
5.2 Операционные схемы | |
6 ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ | |
6.1 Выпрямители на полупроводниковых диодах | |
6.2 Стабилизаторы напряжения | |
6.3 Фильтры источников электропитания | |
7 ИМПУЛЬСНЫЕ УСТРОЙСТВА | |
7.1 Параметры импульсных сигналов | |
7.2 Ключевой режим работы биполярных транзисторов | |
7.3 Статические характеристики транзисторного ключа | |
7.4 Динамические характеристики транзисторного ключа | |
7.5 Схемы транзисторных ключей | |
7.6 Ключи на полевых транзисторах | |
7.7 Усилители импульсных сигналов | |
7.8 Генераторы импульсных сигналов | |
7.8.1 Генераторы сигналов прямоугольной формы | |
7.8.2 Одновибратор на биполярном транзисторе | |
7.8.3 Магнитно-транзисторные генераторы | |
7.9 Релейные усилители | |
7.9.1 Триггеры | |
8 ГЕНЕРАТОРЫ СИНУСОИДАЛЬНЫХ КОЛЕБАНИЙ | |
8.1 Принцип построения | |
8.2 LС-генераторы, RС-генераторы | |
8.3 Методы стабилизации частоты автогенераторов | |
9 НЕЛИНЕЙНЫЙ РЕЖИМ РАБОТЫ ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ | |
9.1 Компараторы | |
9.2 Симметричный мультивибратор на ОУ | |
9.3Ждущий мультивибратор (одновибратор) на ОУ | |
9.4 Генераторы линейно изменяющегося напряжения | |
10 ЛОГИЧЕСКИЕ И ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА | |
10.1 Логические функции | |
10.1.1 Основные логические операции и их реализация | |
10.1.2 Составление логических функций | |
10.1.3 Минимизация логических функций | |
10.2 Схемотехника логических элементов | |
10.2.1 ТТЛ-логика | |
10.2.2 КМОП-логика | |
10.2.3 Основные параметры логических элементов | |
10.3 Коммутаторы цифровых и аналоговых сигналов | |
10.4 Преобразователи уровней логических сигналов | |
10.5 Триггеры | |
10.6 Мультивибраторы и одновибраторы на логических элементах | |
10.7 Цифровые счетчики импульсов | |
10.8 Комбинационные схемы | |
10.8.1 Регистры | |
10.8.2 Дешифраторы | |
10.8.3 Мультиплексоры | |
10.9 Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) | |
10.10 Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи (ЦАП АЦП) | |
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ |
ВВЕДЕНИЕ
Электроникой называют отрасль науки и техники, изучающую физические основы функционирования приборов, работа которых основана на протекании электрического тока в твердом теле, вакууме и газе. Такими приборами являются полупроводниковые приборы, электровакуумные и ионные приборы.
Электроника может быть условно разделена на две части: информационную электронику и силовую электронику, называемую еще преобразовательной техникой.
Информационная электроника занимается устройствами для передачи, обработки и отображения информации. Эту область электроники условно можно назвать слаботочной, так как все процессы передачи, обработки и отображения информации осуществляются на низких уровнях энергии в элементах устройств.
Силовая электроника занимается вопросами преобразования электрической энергии: энергии переменного тока в энергию постоянного тока (выпрямители), энергию постоянного тока в энергию переменного тока (инверторы), энергию переменного тока одной частоты в энергию переменного тока другой частоты (преобразователи частоты) и т.д. Элементы таких преобразователей подвержены большим электромагнитным нагрузкам, поэтому при проектировании большое внимание уделяется оптимизации массогабаритных показателей проектируемых устройств.
Тематический план дисциплины
Тема | Количество часов |
1 Пассивные элементы электронных схем | |
2. Физические основы полупроводниковых приборов | |
3 Полупроводниковые приборы | |
4 Усилительные каскады на транзисторах | |
5 Операционный усилитель | |
6 Источники вторичного электропитания | |
7 Импульсные устройства | |
8 Генераторы синусоидальных колебаний | |
9 Нелинейный режим работы операционного усилителя | |
10 Логические и цифровые устройства |
1 Пассивные элементы электронных схем
1.1 Резисторы
Резистор – элемент электроники, предназначенный для регулирования и распределения электрической энергии между цепями и элементами схемы.
Классификация:
1. По виду вольт-амперной характеристики различают резисторы линейные (постоянного и переменного сопротивления) и нелинейные.
2. По конструкции резисторы подразделяются на пленочные, объемные и проволочные.
3. По материалу токопроводящего элемента – на пленочные углеродистые, металлопленочные, металлоокисные, металлодиэлектрические, композиционные и полупроводниковые.
4. По способу защиты резистивного элемента – неизолированные, изолированные, компаундированные, опрессованные пластмассой, герметизированные и вакуумные.
5. По назначению – общего и специального применения.
Основные характеристики:
1. Номинальное сопротивление – значение сопротивления, которое должен иметь резистор в соответствии с нормативной документацией. Фактическое значения сопротивления каждого экземпляра может отличаться от номинального, но не более чем на величину допустимого отклонения, которое выражается в процентах.
2. Номинальная мощность – максимально допустимая мощность, рассеиваемая на резисторе, при которой параметры резистора сохраняются в установленных пределах в течение длительного срока службы.
3. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) – относительное изменение сопротивления резистора при изменении температуры окружающей среды на 10С.
4. Электрическая прочность резистора – характеризуется предельным напряжением, при котором резистор может работать в течение срока службы без электрического пробоя.
Маркировка резисторов.
На каждом непроволочном резисторе указываются номинальное сопротивление, допустимые отклонения сопротивления от номинального значения и тип резистора.
Номинальное сопротивление резисторов устанавливаются стандартными рядами Е (табл. 1).
Таблица 1.1 - Стандартные ряды Е номинального сопротивления резисторов
Индекс ряда | Номинальные значения | Допустимое отклонение |
Е6 | 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 | ±20% |
Е12 | 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 1,2 1,8 2,7 3,9 5,6 8,2 | ±10% ±10% |
Е24 | 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 1,1 1,6 2,4 3,6 5,1 7,5 1,2 1,8 2,7 3,9 5,6 8,2 1,3 2,0 3,0 4,3 6,2 9,1 | ±5% ±5% ±5% ±5% |
а) | б) | в) |
Рисунок 1.1 -Обозначения пассивных элементов электронных схем: а) резисторы, б) конденсаторы, в) катушка индуктивности |
Кодированные обозначения номинального сопротивления резисторов состоят из цифры, обозначающей номинальное сопротивление, и буквы, обозначающей единицу измерения сопротивления. Сопротивления до 100 Ом выражаются в Омах и обозначаются буквой Е, сопротивления от 100 Ом до 100 кОм – в килоомах и обозначаются буквой К, а сопротивления от 100 кОм до 100 МОм – в мегаомах и обозначаются буквой М. Эти буквы ставятся на место запятой десятичной дроби, которая выражает значение сопротивления.
Резисторы постоянного сопротивления. Углеродистые резисторы (блп) – резистивный элемент этих резисторов представляет собой тонкую пленку углерода осажденную на основание из керамики.
Металлопленочные резисторы (МТ и ОМЛТ) – содержат резистивный элемент в виде очень тонкой металлической пленки, осажденной на основание из керамики или пластмассы.
Резисторы переменного сопротивления. Применяются для регулирования силы тока и напряжения. По конструктивному исполнению делятся на одинарные и сдвоенные, одно- и многооборотные, с выключателем и без него; по назначению - на подстроечные (для разовой или периодической подстройки аппаратуры, до 1000 циклов перемещения рабочей части) и регулировочные (для многократной регулировки, более 5000 циклов).
Дата добавления: 2014-12-09; просмотров: 1218;