В критическом режиме на заданную мощность
Энергетический расчет проводится по методике, изложенной в [3].
Датчик случайных чисел ЭВМ каждому студенту выдает свой вариант задания с указанием технических характеристик и типа транзистора. Параметры транзисторов, необходимые для выполнения расчетов, приведены в таблице. Расчет проводится без применения ЭВМ. После расчета коллекторной цепи ГВВ ЭВМ осуществляет промежуточный контроль данных и дает необходимые указания по коррекции выполненной работы. После завершения расчетов студенту сообщается итоговый результат его работы над упражнением.
В упражнении используется расчет ГВВ с включением транзистора по схеме с общим эмиттером. Один из возможных вариантов реализации такого ГВВ показан на рис. 11. Элементы цепи согласования в данном упражнении не рассчитываются, так как являются предметом изучения следующего упражнения.
Методика и последовательность расчета
1. Предварительная оценка ожидаемого Кр:
,
где fтип – частота типового режима, Кр (тип) – коэффициент усиления по мощности в типовом режиме, приведенные в таблице.
2. Сопротивление потерь коллектора транзистора в параллельном эквиваленте [3, рис. 3.3]:
.
3. Коэффициент использования коллекторного напряжения:
,
где Uк0 – постоянное напряжение на коллекторе, которое следует принять равным Еп.
4. Напряжение и первая гармоника тока в коллекторной нагрузке:
;
.
5. Полезная нагрузка по коллекторной цепи без учета и с учетом влияния rк:
;
.
6. Амплитуда первой гармоники тока транзистора с учетом rк:
.
7. Расчет параметров транзистора:
;
;
,
где tп – температура перехода, которую берут равной предельно допустимой (см. таблицу), Sп – крутизна по переходу, r – сопротивление рекомбинации, S – крутизна статической характеристики коллекторного тока.
8. Расчет коэффициентов А, В:
;
.
9. Определение коэффициента разложения
:
,
где Есм – предлагаемое смещение на базе транзистора. Оно может быть принято равным нулю.
10. По таблицам для коэффициентов Берга находят по рассчитанному
угол отсечки q и коэффициенты g1(q), a0(q), cosq. Убедитесь, что рекомендованный в задании угол отсечки близок к рассчитанному.
11. Определение первой гармоники тока базы:
.
12. Находим модуль коэффициента усиления по току:
.
13. Пиковое обратное напряжение на эмиттере:
£ Uэб доп.
14. Расчет входных активных и реактивных составляющих сопротивления:
;
.
15. Коэффициент усиления по мощности:
.
16. Расчет постоянной составляющей коллекторного тока, мощности, потребляемой от источника питания, КПД:
£ Iк0 доп;
;
;
£ iк доп.
17. Определение требуемой входной мощности и мощности рассеяния на коллекторе:
;
.
18. Расчет требуемого сопротивления нагрузки, приведенного к внешнему выводу коллектора в параллельном эквиваленте, т.е. требуемого входного сопротивления цепи согласования:
;
;
значения Rэ прив, Хэ прив учитывают влияние Ск и Lк транзистора;
.
19. Оценка мощности, рассеиваемой транзистором:
.
20. Допустимая мощность рассеяния при данной температуре корпуса транзистора:
;
.
На этом энергетический расчет генератора можно закончить. Далее последует расчет элементов цепи согласования и всех вспомогательных элементов.
ПАРАМЕТРЫ АЭ
| № п/п | Типы АЭ | Исходные данные к расчету | Электрические параметры транзисторов | ||||||||||
| Р~, Вт | f, МГц | Uк0, В | Есм, В | fтип, МГц | Кр тип | , Ом
| Sкр, А/В | tп, ° С | h21 э | , Ом
| ,
Ом
| ||
| КТ 904 А КТ 909 А КТ 909 Б КТ 902 А КТ 920 В КТ 921 А КТ 922 В КТ 929 А КТ 907 А КТ 913 Б КТ 913 В КТ 916 А КТ 934 Г КТ 934 В КТ 930 А КТ 971 А 2Т 980 Б 2Т 9131А КТ9128АС | 1,5 | 40,68 81,36 40,68 40,68 | 3,2 2,4 2,1 2,8 2,5 5,3 5,5 | 0,5 1,2 0,4 0,5 0,7 0,9 1,5 0,5 1,2 0,8 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 | 0,27 0,46 0,84 0,71 2,5 0,29 0,91 0,63 0,4 0,11 0,25 0,67 0,27 0,56 0,91 3,3 1,6 | 0,5 1,1 0,5 0,5 0,5 0,9 1,4 0,5 1,2 0,9 0,1 0,1 0,2 0,5 | 0,1 0,1 0,05 0,3 0,15 0,15 0,15 0,25 0,4 0,2 0,2 0,15 0,36 0,2 0,3 0,03 |
Окончание таблицы
| № п/п | Типы АЭ | Электрические параметры транзисторов | Предельно допустимые значения параметров | |||||||||||
| fгр, МГц | , В
| Ск, пФ | Сэ, пФ | Скa, пФ | Lэ, нГ | Lб, нГ | Lк, нГ | Uкэ, В | Uэб, В | iк доп, А | Iк0 доп, А | Рк (t=25 ° С), Вт | ||
| КТ 904 А КТ 909 А КТ 909 Б КТ 902 А КТ 920 В КТ 921 А КТ 922 В КТ 929 А КТ 907 А КТ 913 Б КТ 913 В КТ 916 А КТ 934 Г КТ 934 В КТ 930 А КТ 971 А 2Т 980 Б 2Т 9131А КТ9128АС | 0,6 0,6 0,6 0,6 0,8 0,6 0,9 0,8 0,6 0,7 0,7 0,8 0,7 0,7 0,9 0,8 0,6 0,6 0,6 | 7,5 7,5 | 3,5 3,5 2,5 2,5 2,5 5,5 0,7Ск 0,7Ск 0,7Ск | 0,45 0,35 1,1 1,2 0,8 0,25 0,23 0,35 2,5 0,18 1,6 0,15 | 1,7 1,7 3,1 2,4 3,5 2,8 2,6 2,5 2,5 2,3 1,00 2,8 1,84 0,56 1,9 0,86 | 3,2 2,4 3,5 2,4 0,5 2,5 0,6 2,5 2,5 2,3 0,1 2,8 2,6 1,2 | 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 | 1,5 4,1 1,5 | 0,8 3,5 0,8 | 12,5 13,5 |

| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
| |
| |
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 4. Изменения импульсной последовательности тока выходного электрода:
а – статические выходные характеристики пентода и динамические выходные характеристики ГВВ при Rэ = Rэ кр и Rэ2 > Rэ кр;
б – характер изменения формы и высоты импульсов анодного тока при увеличении анодной нагрузки больше критической;
в – графики изменения высоты импульсов анодного тока, его первой гармоники и постоянной составляющей от Rэ;
г – график изменения амплитуды напряжения на аноде от Rэ, (ИТ – источник тока, ИН – источник напряжения);
д – график изменения высоты импульсов тока экранной сетки при увеличении анодной нагрузки больше критической



Дата добавления: 2014-11-29; просмотров: 1746;

, Ом
, Ом
,
Ом
, В