Гальваномагнитные преобразователи
действие гальваномагнитных преобразователей основано на силовом влиянии магнитного поля на движущиеся электрические заряды. В преобразователях Холла и магниторезисторах поле действует на заряды, движущиеся в полупроводнике.
Чаще всего преобразователи Холла используют в виде плоской прямоугольной пластины из полупроводникового материала. Эффект Холла – электромагнитное явление, проявляющееся в появлении ЭДС (Е) на боковых гранях пластины при пропускании через нее тока I при помещении ее в магнитное поле индукции В, т. е. (рис. 31)
, (40)
где Rх – постоянная Холла, Ом×м/Тл;
h – толщина пластины.
В слабых полях, где В < 0,1 Тл, эта зависимость квадратичная, при В = (0,1 – 1) Тл – линейная:
, (41)
где g – чувствительность, которая указывается в паспорте на преобразователь.
Как правило, в процессе измерений ток I остается неизменным, и в этом случае вводят параметр магнитная чувствительность gm = E/B при номинальном токе. Магнитная чувствительность и номинальный ток также приводятся в паспорте на преобразователь. Абсолютное значение магнитной чувствительности колеблется в пределах 0,06 – 0,6 В/Тл. Часто удобнее пользоваться удельной чувствительностью k = gI, т. е. считать коэффициентом преобразования произведение чувствительности на ток. Это позволяет определить выходной сигнал при любых токах, а не только при номинальном.
Конструктивно преобразователи выполняют в виде пластин прямоугольной или крестообразной формы. Выпускаются кремниевые, германиевые и арсенид-галлиевые преобразователи Холла. Толщина преобразователя – около 0,2 мм, размеры активной части – от 1,8 ´ 0,6 до 6 ´ 3 мм. Габаритные размеры в слюдяных обкладках примерно вдвое больше.
Преобразователи Холла находят широкое применение при измерении слабых магнитных полей, а для измерения более сильных полей (В > 1 Тл), когда наступает насыщение преобразователя Холла, применяют магниторезисторы. В магниторезисторах используется эффект Гаусса, который состоит в изменении электрического сопротивления полупроводника под действием магнитного поля. наиболее ярко он проявляется в магниторезисторах из антимонида индия (InSb) и арсенида индия (InAs) с параметрами, приведенными в табл. 2.
Таблица 2
Характеристика магниторезисторов
Характеристика | Тип магниторезистора | |
InSb | InAs | |
Сопротивление, Ом: | ||
при В = 0 | 0,5 – 200 | 0,5 – 200 |
при В = 1 Тл | 50 – 4000 | 1 – 400 |
Относительное изменение сопротивления при В, Тл: | ||
0,1 | 0,2 – 0,5 | 0,03 – 0,5 |
0,5 | 5 – 8 | 0,5 – 1,0 |
1,0 | 10 – 16 | 2 – 3 |
Магниторезисторы применяют в основном для измерения полей с индукцией выше 0,2 Тл, поэтому в неразрушающем контроле их не удается использовать для регистрации полей рассеяния дефектов. Они могут быть применены при измерении индукции намагничивающих полей. Схемотехническое решение – по принципу омметра, градиентометрическое.
Дата добавления: 2014-12-26; просмотров: 2362;