Полупроводниковые лазеры

Лазером в широком смысле называют квантовый генератор монохроматического излучения оптического диапазона волн. Рабочее тело лазеров может быть выполнено:

· из газа (на основе азота, аргона, гелия и неона, криптона, ксенона и прочего),

· на красителях (кумарине, родамине, гексацианине 3, крезиле фиолетовом и других),

· твердотельным (лазером, использующим александрит или титан-сапфир, рубиновым и прочим),

· на полупроводниках (лазеры с квантовыми ямами, лазеры с гетероструктурой на основе арсенида галлия, с раздельным удержанием и другие),

Основой лазерного диода выступает специально подготовленный электронно-дырочный переход плоскостной конструкции, полученный в полупроводнике электронного типа проводимости, например, из арсенида галлия. Кристалл полупроводника обычно имеет размеры по длине, ширине и высоте менее 500 × 400 × 100 мкм. Упрощённая конструкция лазерного диода без соблюдения пропорций показана на рисунке 30.

Рисунок 30 – Конструкция полупроводникового лазера и внешний вид

Лазерные диоды нашли широкое применение в спектрографах, лазерных прицелах и дальномерах, их применяют в лазерных принтерах и в медицинских приборах для исследования сетчатки. Лазерные диоды входят неотъемлемой частью системы считывания, стирания и записи информации на лазерных дисках.