ВАХ МОП-транзистора со встроенным n-каналом
IС,mA обогащение
обеднение UЗИ=-1В
0 UСИ, В
IС ,mA
UСИ=5В
обеднение обогащение
-UЗИ, В 0 +UЗИ, В
UОТС
Напряжение Затвора может быть как положительное, так и отрицательное.
а) Пусть 
(поперечное поле отсутствует).
Если при этом на Сток подать положительный потенциал относительно Истока, то через канал потечет ток (характеристика 1).
б) Пусть 
Под действием поперечного поля (см. рисунок) в канал будут поступать электроны из кристалла, проводимость канала возрастет, т.е. ток канала 
увеличится (характеристика 2 идет выше характеристики 1). Этот режим соответствует режиму обогащения.
в) Пусть 
Поперечное поле будет направлено в противоположную сторону. Под действием этого поля электроны будут вытягиваться из канала вглубь кристалла, следовательно, проводимость и ток канала уменьшаются (характеристика 3 идет ниже характеристики 1). Такой режим транзистора называют режимом обеднения.
Таким образом, МОП-транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, в отличие от транзисторов с наведенным каналом, которые работают только а режиме обогащения.
Достоинства полевых транзисторов::
· Высокое входное сопротивление ( 
достигает 1014 Ом).
· Бесконечно большое усиление по току
( 
).
коэффициент усиления по току 0
· Малый уровень собственных шумов.
(Наиболее шумящими процессами являются генерация и рекомбинация – образование или исчезновение пары: электрон + дырка. В полевом транзисторе эти процессы отсутствуют, т.к. через их каналы двигаются заряды только одного знака).
· Высокая температурная стабильность, позволяющая исключить специальные меры температурной стабилизации рабочего режима.
· Хорошая развязка между входом и выходом ( 
).
· Малый разброс параметров.
Недостатки:
· Малый коэффициент усиления по напряжению (несколько единиц).
Это связано с тем, что полевой транзистор в рабочем режиме (в режиме насыщения) имеет очень большое сопротивление, на котором теряется значительная часть полезного напряжения.
IС
А
∆IС
∆UСИ
0 UСИ
· МОП-транзисторы боятся статического электричества.
Дата добавления: 2017-02-20; просмотров: 784;