Статические ОЗУ с произвольным доступом
В статическом ОЗУ информация в ячейках памяти хранится до тех пор, пока подается напряжение питания. Типовым представителем статического ОЗУ с произвольным доступом (RAM – random access memory) являются микросхемы памяти серии КР537. В качестве примера рассмотрим структуру БИС КР537ЗУ3, условное обозначение которой изображено на рис.5.3,а.
Рисунок 5.3 – Условное обозначение и структура БИС ОЗУ с произвольным доступом |
Как видно из схемы ОЗУ, в нем содержится 212 = 4К однобитовых ячеек памяти. Выходная линия данных может быть переведена в состояние высокого импеданса (значок ◊) путем подачи высокого уровня на вход CS. Запись данных в ячейку памяти осуществляется при наличии нулевого уровня на входе WE (Write Enable).
Рисунок 5.4 - Схема организации матрицы запоминающих ячеек |
ОЗУ серии К537 выполнены на основе КМОП – технологии. В состав серии входят БИС: К537РУ2…РУ10. БИС РУ3 совместима с ТТЛ-схемами как по входам, так и по выходам. Особенности ОЗУ является способность сохранять информацию при пониженном напряжении источника питания.
Микросхемы памяти КР537РУ8 и РУ10 имеют организацию 2048´8 бит. Структурная схема ОЗУ с организацией 2048´8 бит показана на рисунке 4.3. Запоминающие ячейки ОЗУ организованы в виде матрицы размером 128 ´ 128 ячеек, состоящей из 128 строк и 16 столбцов, выбирающих по 8 триггеров. Структура матрицы запоминающих элементов показана на рисунке 5.4.
В состав БИС входят также адресные буферы BF строк и столбцов и соответствующие им дешифраторы DCS и DCK, усилители записи/чтения DD и блок управления CU. Схема однобитовой ячейки памяти статического ЗУ изображена на рисунке 4.5.
Она представляет собой статический триггер, состоящий из четырех МДП-транзисторов Т3-Т5, плечи которого через ключевые транзисторы Т1,Т2 и Т7,Т8 подключены к шинам данных ШД0 и ШД1. Подключение ячейки к шине данных происходит только при одновременной подаче единичных сигналов на линии выбора ячейки Х и У. Данные записываются в ячейку памяти и считываются из нее в парафазном коде (наличие уровней «0» и «1» одновременно). Работа ячейки подробно рассматривалась в курсе электроники.
Дата добавления: 2016-02-09; просмотров: 1696;