Усилитель с низкочастотной (НЧ) коррекцией
В первом варианте схемы (рис. 7.10, б) RК, R¢К и СК образуют ФНЧ с 
где RЭКВ = RК||R¢К, за счет чего усиление на низких частотах больше, чем на высоких.
Во втором варианте схемы (рис. 7.10, в) из-за шунтирования части коллекторной нагрузки RК конденсатором СК усиление на низких частотах больше, чем на высоких. На низких частотах 
, если 
, а 
На высоких частотах 
если 
.
а б в
Рис. 7.10. Примеры схем усилителей с частотной коррекцией:
а – ВЧ-коррекция при помощи индуктивности;
б – НЧ-коррекция за счет ФНЧ;
в – НЧ-коррекция путем емкостного шунтирования части коллекторной нагрузки
Контрольные вопросы к лекции
1. Каким образом определяется входное и выходное сопротивление ЭП с учетом модели Эберса – Молла?
2. Какими свойствами обладает ДУ и как они объясняются на основе модели Эберса – Молла?
3. Какими параметрами характеризуется ДУ?
4. Для чего используют источники тока в эмиттерной цепи ДУ?
5. Что обеспечивает токовое зеркало в качестве активной нагрузки ДУ?
6. Для каких целей используют мостик Уитстона?
7. Каким образом проявляется влияние емкостей p-n-переходов транзисторов на свойства схемы усилителя с ОЭ?
8. В чем заключается эффект Миллера и каковы способы его устранения?
9. В чем заключается принцип работы транзисторного стабилизатора напряжения?
10. В чем заключается принцип ВЧ- и НЧ-коррекции в усилителе с ОЭ?
ЛЕКЦИЯ 8
Дата добавления: 2016-02-02; просмотров: 1520;