Магнитодиэлектрики (МД).

Как и ферриты МД являются высокочастотными магнитными материалами. По сравнению с ферритами они имеют более стабильные свойства, но по ряду электромагнитных параметров уступают им. Получаются по технологии аналогичной технологии пластмасс.

МД состоят из мелкоизмельченного ферромагнетика, частицы которого изолированы и скреплены немагнитным материалом. В качестве ферромагнетика наиболее часто используют альсифер, карбонильное железо, пермаллой, в качестве связки как органические материалы такие как бакелит, полистирол, шеллак, так и неорганические - жидкое стекло, стеклоэмали и другие.

Частицы ферромагнетика разделены друг от друга сплошной пленкой из электроизоляционного материала, образующего непрерывную фазу-матрицу с высоким электрическим сопротивлением, являющуюся одновременно механическим связующим. Частицы ферромагнетика (их размер d ≈ 10─4—10─6м) электроизолированы друг от друга поэтому потери на гистерезис и вихревые токи малы и основным видом потерь становятся потери на магнитное последействие, которые превышают остальные виды потерь в 10—30 раз. m магнитодиэлектриков имеет невысокое значение ( m нач = 10¸250) и мало зависит от частоты.

Прессование изделий из МД — колец, сердечников и т.д. производится при давлениях (14¸20) . 102 МПа (14¸20 Т/см2 ), чем выше давление, тем выше магнитная проницаемость.

Примеры магнитных характеристик промышленных магнитодиэлектриков показаны в таблице 9.6.

Биполярный транзистор - активный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого основаны на явлении инжекции и экстракции неосновных носителей заряда

Инжекция - это процесс подвода неосновных носителей заряда в данную область полупроводника из области, где они были основными, через пониженный потенциальный барьер.

Экстракция - это процесс отвода неосновных носителей заряда из данной области полупроводника в область, где они становятся основными. В этом случае p-n переход смещен в обратном направлении.

Транзистор называется биполярным потому, что в процессе его работы непрерывно учавствуют 2 типа носителей заряда: основные и неосновные.

Конструкция биполярного транзистора

В исходной базовой пластинке слева и справа выполнены две p-области разных геометрических размеров. Левая p-область имеет меньшие геометрические размеры, но максимально возможную для данной технологии концентрацию основных носителей заряда. Эта область называется эмиттером.

Правая p-область имеет бо́льшие геометрические размеры, но меньшую концентрацию основных носителей заряда, чем в эмиттере. Она называетсяколлектором.

Между областями эмиттера, коллектора и базы образуются два p-n перехода, условная граница которых показана пунктирными линиями, между этими границами располагается слой базы, который обладает объемным слоем сопротивления. L_б должна быть как можно меньше, и концентрация основных ностителей заряда должна быть минимлальной.