Выводы по лекции. Исследования показали, что имеется предел повышения запирающего напряжения на переходе

Исследования показали, что имеется предел повышения запирающего напряжения на переходе. Этот предел определяется пробоем p-n-перехода.

Под пробоем p-n-перехода понимают резкое уменьшение дифференциального обратного сопротивления, сопровождающееся возрастанием обратного тока при незначительном увеличении напряжения.

В настоящее время можно назвать четыре разновидности пробоя p-n- перехода:

— туннельный пробой;

— лавинный пробой, или пробой за счет ударной ионизации;

— тепловой пробой за счет кумулятивного разогрева перехода;

— поверхностный пробой.

Явление туннельного пробоя используют для стабилизации постоянного напряжения. Переходы с туннельным пробоем составляют основу полупроводниковых стабилитронов.

Лавинный пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля.

Как при туннельном, так и при лавинном пробое неограниченное возрастание тока приводит к тепловому пробою перехода, разрушению перехода и полному выходу из строя диода или триода.

Тепловой пробой может иметь место при значительно более низких напряженностях электрического поля в тех случаях, когда не обеспечивается необходимый отвод тепла от перехода, работающего в режиме больших токов.

Теоретические вопросы для самоконтроля

1. Структура p-n-перехода.

2. Равновесное состояние p-n-перехода.

3. Неравновесное состояние p-n-перехода.

4. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода.

5. Контакты полупроводник-металл.

6. Граница полупроводник-диэлектрик

7. Гетеропереходы

8. Барьерная емкость как проявление токов смещения

9. Диффузионная емкость

10. Лавинный пробой

11. Туннельный пробой

12. Тепловой пробой

Тема №4: Основные эффекты в полупроводниках

Лекция № 11: Фотоэлектрические явления в полупроводниках и переходах