Внимание! Следите за индикацией размерности на измерителе тока.
Таблица 18.2
| Обратная характеристика | |||
| –U, В | –I, мкА | ||
| КД521 | КД226 | Д9К | |
Задание 2. Снятие вольтфарадной характеристики (ВФХ) и определение контактной разности потенциалов в p-n–переходе.
1. Переключателем на устройстве 1 (рис.18.3) установить диод КД226.
2. Переключателем КН2 выбрать режим работы «ВФХ».
3. Переключателем КН1 выбрать режим снятия прямой характеристики.
4. Кнопками «+» и «–» установить требуемую величину напряжения (см.табл.18.3).
5. Записать в табл.18.3 соответствующую ёмкость.
Таблица 18.3
| Прямая | Обратная | ||
| U, В | С, пФ | –U, В | С, пФ |
| 0.10 | 0.1 | ||
| 0.20 | 0.3 | ||
| 0.30 | 1.0 | ||
| 0.40 | 1.3 | ||
| 0.50 | 1.6 | ||
| 0.60 | 2.0 | ||
| 0.70 | 3.0 | ||
| 0.80 | 4.0 | ||
| 0.90 | 5.0 | ||
| 1.0 | 7.0 | ||
| 1.1 | 10.0 | ||
| 1.2 | 15.0 |
6. Устанавливая требуемые значения напряжения (см. табл.18.3) кнопками «+» и «–», записывать соответствующие значения ёмкости.
7. Нажатием кнопки КН3 установить нулевое напряжение.
8. Переключателем КН1 выбрать режим снятия обратной характеристики.
9. Повторить измерения по пунктам 4÷7 задания 2, данные записывать в табл.18.3.
12. Построить график зависимости С=f(U) – ВФХ исследуемого диода; при этом прямое напряжение считать положительным, обратное – отрицательным.
Таблица 18.4
| № | Uпр., В | Спр., пФ | Uобр., В | Собр, пФ | Uк., В | Uк. ср. , В | ΔUк., В | ΔUк. ср., В |
13. Выбрав любую пару значений ёмкости при прямом и при обратном включении Спр. и Собр, по формуле (18.6) вычислите контактную разность потенциалов Uк. При подстановке соответствующих значений Uпр. и Uобр. помните, что в формуле (18.6) используется модуль обратного напряжения.
14. Повторите вычисления Uк ещё с четырьмя парами значений ёмкостей Спр. и Собр.
15. Определите среднее значение Uк и оцените его погрешность ΔUк.
16. Все данные запишите в табл.18.4.
17. Сделайте выводы.
Контрольные вопросы
1. Объясните формирование энергетических зон в полупроводнике.
2. Объясните различие между металлами, диэлектриками и полупроводниками с точки зрения структуры энергетических зон.
3. Что такое собственный полупроводник? Как возникает проводимость в собственном полупроводнике? Почему с ростом температуры проводимость полупроводника возрастает?
4. Что такое примесный полупроводник? Объясните механизм проводимости в донорном (n–типа) и акцепторном (р–типа) полупроводнике.
5. Что такое p-n–переход? Объясните природу образования объёмного заряда.
6. Объясните физические процессы, происходящие в p-n–переходе. Что происходит при прямом и обратном включении?
7. Запишите и объясните формулу ВАХ для прямого направления тока.
8. Как Вы понимаете «прямое» и «обратное» направление тока?
9. Применение p-n–перехода в технике.
Используемая литература
[1] §§ 44.3, 44.4;
[2] § 40.6;
[3] § 4.54;
[6] §§ 42, 43, 45;
[7] §§ 249, 250.
Дата добавления: 2015-09-07; просмотров: 655;