Тақырып: Биполярлы транзисторлар. Қарастырылатын сұрақтар:
Қарастырылатын сұрақтар:
1. Транзистордың сипаттамалары.
2. Транзистордың күшейту қабілеті.
3. Транзистордың динамиалық режимі.
Дәрістің қысқаша жазбасы:
Базаның тогының эмиттер-база өтпесінің кернеуінен тәуелділігі, яғни Iб=f(Uб) кірмелік немесе базалық сипаттама деп аталады (4.1-сурет). Бірақ базаның тогы коллектордың кернеуіне де байланысты өзгеретіндіктен кірмелік сипаттаманы түсіргенде коллектордың кернеуі тұрақты болып қалуы керек (Uк= соnst).
Коллектордың кернеуі тұракты болғанда базаның кернеуінің өсуі эмиттер-база өтпесінің кедергісін азайтады да базаға келетін электрондар мен олардың кемтіктермен рекомбинациясын көбейтеді, яғни базаның тогын арттырады. Коллектордың кернеуінің көбеюі коллектор-база өтпесіне керісінше әсер етеді: өтпенің кедергісін көбейтеді және рекомбинация санын азайтады. Сондықтан коллектордың кернеуі өскенде базаның тогы азаяды.
Коллектордың тогының коллектор-эмиттер өтпесінің кернеуінен тәуелділігі,яғни Iк=f(Uк) шықпалық немесе коллекторлық сипаттама деп аталады (4.2-сурет). Бірақ коллектордың тогы базаның тогына да байланысты өзгеретіндіктен шықпалық сипаттаманы түсіргенде базаның тогы тұрақты болып қалуы керек (Iб=соnst).
Коллектордың кернеуі өскен сайын оның электр өрісінің әсерінен оған келіп жететін электрондардың саны да көбейеді, яғни коллектордың тогы да өседі. Ал базаның тогының көбеюі рекомбинацияланатын электрондардың санын көбейтеді, сондықтан эмиттер мен коллектордың тогы да көбейеді. Коллектордың кернеуі одан әрі өскенде коллекторға келіп жететін электрондар түгелдей дерлік әкетіліп отырады, бірақ эмиттерде пайда болатын электрондар саны одан әрі көбеймейді. Сондықтан коллектордың кернеуі әжептәуір өссе де коллектордың тогы өте аз өседі, яғни қанығу үрдісі басталады. Транзисторда эмиттер-база және коллектор-база өтпелерінің сыйымдылығы болатындықтан жоғары жиіліктерде электрондар эмиттерден коллекторға өтіп үлгере алмайды. Ендеше жиіліктің өсуі коллектордың тогының азаюына әкеліп соғады. Ал температура өскен кезде негізгі емес заряд тасымалдаушылардың саны көбейеді де коллектордың бастапкы тогы артады. Сондықтан транзисторларды олардың құжатында көрсетілген жиілік пен температураның мәндерінде ғана пайдалану керек.
Транзистордың күшейту қабілеті және оның тұрақты ток бойынша эквиваленттік сұлбасы.
4.1-сурет. Эмиттері ортақ әлсіз 4.2-сурет. Эмиттері ортақ әлсіз
транзистордың кірмелік транзистордың шықпалық
(базалық) сипаттамасы. (коллекторлық) сипаттамасы.
Транзистордың күшейту қабілеті шықпасында бөлінген және кірмедегі жұмсалған қуаттарының қатынасымен анықталады. Мысалы, ЖБ сұлбада кірмелі эмитте тогы IЭ және оның өсімшесі ± DIэ толығымен дерлік коллекторт тізбегіне жетіп (IЭ » IК), коллектор тогын IК және өсімшесін ± DIК туғызады. Бірақ, эмиттер тогын сигнал көзінің аз ЕЭ шығарады, яғни сигнал көзінің алынған қуаты Рэ =Iэ·Еэ. Ал коллектор тогы қорек көзінің үлкен энергиясы арқылы жүреді, яғни қорек көзінен алынған қуаты Рэ =Iэ·Еэ.СоныменРК>>РЭ болып, шағын сигнал қуаты көмегімен үлкен қорек көзінің қуаты басқарылады. Транзистор күшейткішке айналады. Транзистордың жұмысын талқылау үшін оның тұрақты ток бойынша эквиваленттік сұлбасын келтіргеніміз жөн (4.3-сурет).
4.3-сурет. Транзистордың тұрақты ток бойынша эквиваленттік сұлбасы
Бұл сұлбада r/Б резисторы базаның пассивті аймағының кедергісін білдіреді, оның мәні 100 Омға жуық. DЭ және DК диодтар эмиттер және коллектор өтпелерін сипаттайды. Iк=U21БIэ ток генераторы, эмиттер тогын коллектор тізбегіне жеткізу мөлшерін көрсетеді.
Транзистордың динамиалық режимі. Жұмыс нүктесін таңдау.
Шықпалы тогы кірмелі тогы мен кернеуінің өзгеруі қарай өзгеріп отырса, транзистор динамикалық режимде болғаны. Мысалы, ЖЭ сұлбада коллекто тогы IК =f (IБ UБЭ). Егер коллектор тізбегіне RКрезисторын тіркесе, транзистор динамикалық режимде істей бастайды (4.4-сурет).
Шықпалы коллектор тогы өзгерген сайын, оның UКЭ потенциалы да өзгеріп отырады, өйткені
(4.1)
4.4-сурет. Транзистор динамикалық режимде.
Егер IК тогы өсе бастаса, онда UКЭ потенциалы азая түседі. Сол сияқты UКЭ –нің өзгеруіне қарай IК тогы да өзгеріп отырады (4.1) теңдеу арқылы құрылған түзуді жүктеме сызығы деп атайды. Оны 4.5 суретте көрсетілгендей екі А(ЕК,0) және В(0,ЕÅК/RК) нүкте бойынша құруға болады. Жүктеме сызығының еңкею бұрышы RК кедергісіне байланысты. Коллектор тогының айнымалы құраушысына жүктеме кедергісі RК резисторымен шектелмей, оған қоса келесі сұлбаның кірмелі RН кедергісі де тіркеледі. 4.4 суретте жүктеме RН кедергісі коллектор тізбегінің тұрақты тогынан СР айырғыш конденсатор арқылы ажыратылған. Ал айнымалы ток үшін RК мен RН кедергілері параллель қосылып, жүктеме сызығын ЕD түзуімен жүргізіледі (4.5 - сурет). Бұл сызық бастапқы «0» жұмыс нүктесінен өтіп төмендегі теңдеумен анықталады:
(4.2)
Тұрақты ток бойынша транзистордың жұмыс режимі осы бастапқы «0» жұмыс нүктесімен белгіленеді. Бұл нүкте көбінесе жүктеме сызығынң ортасынан орын алып, алғашқы IОК, IОБ,UОКЭ шамаларынмен анықталады. Өйткені айнымалы (синусоидал) сигнал берілгенде жұмыс нүктесі сызықтық аймағынан аспауы керек. Жұмыс нүктесі берілген сигналдың деңгейінің әсерінен (сигнал тым үлкен болмауы керек) сызықжартылайнған қанығу аймағына (В нүктеге таяу аймақ) және сызықжартылайнған кесу (отсечка) аймағына (А нүктеге таяу) ығысып кетпеуі керек.
4.5-сурет Графикалық әдіспен сигналдың күшейтілуін есептеу үшін
келтірілген сипаттамалар.
Дифференциалды беріліс коэффициенттері. Жалпы базалы (ЖБ) сұлбада эмиттер тогының дифференциалды беріліс коэффициенті коллектор тогының өсімшесімен эмиттер тогының өсімшесінің қатынасымен анықталады (UКБ кернеуі тұрақты болғанда):
(4.3)
Бұл жерде h21Б орташа аймақта тұрақты болғандықтан сондықтан .
Сонымен қатар, транзистор жалпы эмиттерлі (ЖЭ) сұлбасында интегралды беріліс коэффициентімен сипатталады. Бұл коэффициент басқарылатын коллектор тогымен басқарылатын база тогының қатынасымен анықталады:
(4.4)
мұнда h21Б бірге жуық болғандықтан, h21э 1.
ЖЭ сұлбада дифференциалды беріліс коэффициенті (айнымалы база тогын айнымалы коллектор тогына айналдыру, яғни күшейту) төмендегідей жиі қолданатын формуламен анықталады:
, Uкэ = const болғанда (4.5)
Бақылау сұрақтары:
1. Биполярлы тразистордың негізгі параметрлері.
2.Транзистордың күшейту қабілеттігі қалай анықталынады?
3.Транзистордың динамикалық режимін түсіндіріңіз.
4. Транзистордың қандай сипаттамалары бар?
4. Транзистордың дифференциалды беріліс коэффициенттері қалай анықталынады?
Дата добавления: 2015-09-18; просмотров: 4010;