МОП-транзисторы с индуцированным каналом

Рисунок 5.6. МОП-транзисторы с индуцированным каналом

а) МОП - транзистор n-типа;

б) МОП - транзистор р-типа;

в) МОП - транзистор р-типа с выводом от подложки;

г) структурная схема МОП - транзистора;

д) принципиальная схема МОП – транзистора.

В МДП - транзисторе с индуцированным каналом n-типа канал проводимости тока специально не создается, он образуется благодаря притоку электронов из полупроводниковой пластины в случае приложения к затвору напряжения положительной полярности относительно истока, что обеспечивает работу МОП - транзистора в режиме обогащения.

Проводимость канала возрастает с повышением приложенного к затвору напряжения. Таким образом, транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения.

Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа близки по виду аналогичным характеристикам транзистора со встроенным каналом и имеют тот же характер зависимости Ic = F(Ucи) . Отличие в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения Ucи .

Рисунок 5.5. ВАХ МОП-транзистора с индуцированным каналом

При обращении с МОП-транзисторами необходимо соблюдать предосторожность в связи с тем, что его изолирующий слой из окисла кремния SiO2 достаточно чувствителен и может быть поврежден статическим зарядом от пальцев рук.