Жартылайөткізгіштік диодтар
Жартылайөткізгіштік диод – бір p-n-ауысуы және екі шығарылған өткізгіші бар, жартылайөткізгіш материалдың конструкциялық безендірілген көлемі (10 сурет).
10 Сурет – Жартылайөткізгіштік диодтың белгіленуі
Диодтардың көпшілігі симметриялық емес p-n-ауысудың негізінде жасалады. Диодтың жоғары легирленген аймағы анод деп, ал төмен легирленген аймағы катод деп аталады. Симметриялық емес p-n-ауысу базаға орналастырылады.
Реал диодтың ВАС-ында тура және кері тармақтар идеал жағдайдағыдан өзгешеленеді. Тура бағыттағы кернеу берілген жағдайда диодтың базасы мен эмиттерінің көлемдік кедергісін ескеру керек. Бұл диод ВАС-ының тура тармағының оңға қарай жалжуына әкеп соғады, және бұл жылжудың шамасы берілген кернеуден сызықтық тәуелділікте болады. Диод ВАС-ының кері тармағы берілген кернеу шамасына тәуелді, яғни кері токтың өсуі байқалады.
Реал диодтың ВАС-ы 11 суретте келтірілген.
11 Сурет – Идеал және реал диодтың ВАС-ы
12 суретте жоғары кернеулердегі диодтың эквиваленттік схемасы келтірілген. Бұл жерде Rб>>Rэ, Ren- аймақтар арасындағы p-n-ауысу бетінің кедергісі.
12 Сурет – Жоғары кернеулердегі диодтың эквиваленттік схемасы
13 суретте төмен кернеулердегі диодтың эквиваленттік схемасы келтірілген. Бұл жерде Rpn – диодтың жұмыс бөлігіндегі дифференциалдық кедергісі, Сpn – диодтың жұмыс бөлігіндегі сиымдылығы.
13 Сурет – Төменгі кернеулердегі диодтың эквиваленттік схемасы
Дата добавления: 2015-08-14; просмотров: 2478;