Магнитотранзисторы

Из известных полупроводниковых преобразователей магнитного поля наиболее перспективными считаются магниточувствительные транзисторы - приборы, об падающие высокой чувствительностью и разрешающей способностью.

Магнитотранзисторами (МТ) называются транзисторы, конструктивные и рабочие параметры которых оптимизированы для получения максимальной чувствительности коллекторного тока к магнитному полю. В зарубежной литературе магнитотранзисторы иногда называютмагнисторами.

В зависимости от того, параллельно или перпендикулярно технологической поверхности кристалла протекает рабочий ток, магнитотранзисторы условно под разделяются на вертикальные и горизонтальные (латеральные)

Вертикальные магнитотранзисторы (ВМТ) могут реагировать лишь на ле- жащую в плоскости кристалла (продольную) компоненту магнитного поля, а горизонтальные (ГМТ) - также и на перпендикулярную этой плоскости по- перечную компоненту.

В зависимости от того, к перпендикулярной или параллельной (относительно технологической поверхности) составляющей магнитного поля чувствительны магнитотранзисторы, они делятся соответственно напоперечные и продольные.

В зависимости от природы переноса неосновных носителей заряда в базе магнитотранзисторы, в свою очередь, делятся на диффузионные и дрейфовые.

Применение магнитотранзисторов. По мере дальнейшего освоения и увеличения серийного производства дискретные магнитотранзисторы найдут широкое применение в качестве чувствительных элементов в функционально-ориентированных магнитных датчиках скорости и направления вращения, угла поворота и преобразователях типа «угол-код», датчиках уровня, в бесконтактной клавиатуре ПЭВМ, бесконтактных реле предельного тока, регуляторах электрической мощности. Они могут использоваться в бытовой электронной аппаратуре, системах автоматического управления, устройствах считывания информации, электронных и электрифицированных игрушках, в магнитной дефектоскопии, в биологии и медицине и др.

Интегральные магнитотранзисторные структуры используются и будут использоваться в составе современных магниточувствительных и магнитоуправляемых ИС, а также в высокочувствительных интеллектуальных магнитых датчиках.

Современная групповая технология ИС позволяет выпускать интегральные преобразователи магнитного поля на основе магнитотранзисторов, которые могут формироваться как в линейные, так и в матричные магниточувствительные структуры с различным способом их организации. Основное назначение таких приборов - это использование их в системах визуализации магнитного поля и устройствах считывания информации с магнитных носителей (лент, карт и т.п.).

Особенности применения. При использовании магнитотранзисторов необходимо учитывать требования и условия, которые характерны для других типов преобразователей магнитного поля, и те, которые указаны в нормативно-технической документации.

Схемы включения магнитотранзисторов. Схему включения магнитотранзисторов выбирают исходя из конкретных условий применения и, как правило, индивидуально для каждого типа приборов

На рис. 11.36 приведена без объяснений простейшая схема включения магнитотранзистора.

Рис. 11.36. Простейшая схема подключения двухколлекторного магнитотранзистора ко входу операционного усилителя.

Рис. 11.36.