Ждущий блокинг-генератор

 

Ждущий блокинг-генератор вырабатывает короткие прямоугольные импульсы только при подаче на его вход внешних запускающих импульсов. Схема ждущего блокинг-генератора приведена на рис. 4.1.19.

Ек Тр D R3

 

 

С4

Uвых

Рис. 4.1.19. Схема ждущего блокинг-генератора  
С3 Т

Uвх

 

R1 C1 R2 C2

 

 

Ждущий режим блокинг-генератора обеспечивается путем запирания транзистора отрицательным напряжением, поданным на его эмиттер с резистора R2. Напряжение на резисторе R2 создается током, проходящим от источника питания через делитель напряжения, образованный резисторами R2 и R3.

Временные диаграммы, поясняющие работу ждущего блокинг-генератора, приведены на рис. 4.1.20.

Запускающий импульс отрицательной полярности, подаваемый на базу транзистора через конденсатор С3, открывает этот транзистор. Коллекторный ток транзистора, проходящий по первичной обмотке импульсного трансформатора, индуктирует э.д.с. во вторичной обмотке этого трансформатора. Полярность включения вторичной обмотки такова, что на ее выходе создается отрицательный потенциал, приложенный к базе транзистора.

 

t

Uвх

 

 

Uб

 

U0

t

 

 

t

 

 

Uк

 

Рис. 4.1.20. Временные диаграммы ждущего блокинг-генератора

 

Под действием этого потенциала транзистор еще больше открывается, т. е. происходит лавинообразный процесс нарастания коллекторного тока. Во время открытого состояния транзистора происходит заряд конденсатора С 1 током базы этого транзистора. По мере накопления заряда происходит увеличение положительного напряжения на конденсаторе относительно корпуса, которое компенсирует отрицательное напряжение на базе. В результате этого транзистор снова закрывается, конденсатор начинает разряжаться через резистор R1, после чего напряжение на базе транзистора снова становится равным начальному напряжению смещения.

При спаде коллекторного тока в первичной обмотке импульсного трансформатора возникает э.д.с. самоиндукции, которая является причиной отрицательного выброса напряжения на коллекторе транзистора. Во избежание выхода из строя этого транзистора, параллельно первичной обмотке включен диод D, устраняющий действие э.д.с. самоиндукции.

 

 








Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 1042;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.