Полностью управляемые тиристоры (запираемые, выключаемые, двух операционные, GTO- тиристоры)
У обычных тиристоров можно управлять моментом включения, но нельзя управлять моментом окончания токовой проводимости. В связи с этим использование тиристоров в цепях постоянного тока, а также в инверторах требует применения специальных средств (схемы индуктивно-емкостных контуров коммутации), гасящие ток.
Рис. 7.9. Условное графическое обозначение запираемого тиристора
В запираемых тиристорах положительным управляющим импульсом обеспечивается перевод тиристора в проводящее состояние, а отрицательным импульсом - выключение тиристора.
ВАХ запираемого тиристора аналогична ВАХ обычного тиристора, аналогичен и процесс включения.
Запираемый тиристор имеет такую же четырехслойную структуру, что и обычный тиристор. Поэтому к ним применим транзисторный аналог. При подаче отрицательного импульса тока управления в базовый слой структуры уменьшается заряд в обоих базах транзисторов, при этом снижении все составляющие тока тиристора, и он включается.
Переходный процесс выключения током в цепи управления происходит в три этапа:
1) при протекании тока IA=const подается ток в цепи управления. При этом Iк=(Iа-Iу). Чтобы первый этап перешел во второй необходимо определенное значение тока запирания намного большего значения тока включения (Iу закр>>Iу вкл). Значение тока запирания и тока анода связаны значением коэффициента усиления включения
Обычно G@3¸5;
Рис. 7.10. Переходные процессы при выключении запираемого тиристора
2) второй этап характеризуется резким снижением токов IА и IК. В течение этого этапа происходит дальнейшее снижение концентрации носителей в обеих базах структуры. Этап заканчивается тогда, когда эта концентрация становится равной нулю;
3) на третьем этапе происходит рассасывание не основных носителей и ток тиристора снижается до нуля.
Основное отличие запираемых тиристоров от обычных (не запираемых) заключается в ином расположении горизонтальных и вертикальных слоев с n- p-проводимостями.
Наибольшему изменению подверглось устройство катодного n-слоя, он разбит на несколько сотен элементарных ячеек равномерно распределенных по площади и соединенных параллельно. Такое исполнение вызвано стремлением обеспечить равномерное снижение по всей площади полупроводниковой структуры при включении прибора.
Базовый p-слой, не смотря на то, что выполнен как единое целое, имеет большое число контактов управляющего перехода, так же равномерно распределенных по площади и соединенных параллельно. Базовый n- слой выполнен аналогично, соответственно условиям обычного тиристора.
Анодный слой имеет шунты (зоны с n-типом проводимости), соединяющие n-базу с анодным контактом через небольшое распределение сопротивления. Анодные шунты предназначены для снижения времени включения прибора за счет улучшения условий извлечения зарядов из базовой n-области.
Запираемые тиристоры изготавливают в штыревых и таблеточных корпусах, устанавливаемых на типовых охладителях.
Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 1809;