ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Полупроводниковым диодом называют прибор с одним электрическим переходом, который, в большинстве случаев, является переходом p-n типа. Как правило такой переход размещён в герметичном корпусе(металлическом, пластмассовом или металлостеклянном) и имеет два вывода.

По функциональному назначению диоды делят на следующие основные группы:

1. Выпрямительные (в том числе силовые);

2. Высокочастотные;

3. Импульсные;

4. Стабилитроны;

5. Варикапы;

6. Туннельные;

7. Фотодиоды;

8. Светодиоды;

9. Магнитодиоды;

10. Диоды Гана;

11. Генераторы шума и др.

Большинство полупроводниковых диодов выполняют на основе несимметричных p-n переходов: низкоомная область – эмиттер; высокоомная область – база. Используютp-i, n-iпереходы, а также переходы металл-полупроводник (переходы Шоттки).

Идеализированная вольт-амперная характеристика диода описывается уравнением Шокли:

Реальные ВАХ отличаются от идеализированной. Это обусловлено тем, что I₀ зависит как от материала полупроводника, так и температуры. У диодов на основе Ge – I_обр≈ I₀, на основе Si – I₀ ≪ I_обр.

Прямая ветвь ВАХ зависит от степени несимметрии p-nперехода и др.

На практике сложно и не всегда целесообразно выделять составляющие, которые искажают идеализированную ВАХ.

Условное графическое обозначение (УГО):

где: “+” – Анод; “–” – Катод.