Сверхвысокочастотные диоды
СВЧ-диоды предназначены для работы в диапазоне сантиметровых и миллиметровых волн (108 – 109 Гц) и поэтому имеют точечный р-п-переход.
Для ускорения рассасывания неосновных носителей заряда СВЧ-диоды изготавливают из полупроводника с высокой концентрацией примеси. В результате этого р-п-переход получается очень тонким и напряжение пробоя составляет единицы вольт, а предельно допустимый прямой ток – 10…15 мА. Этого недостатка не имеют диоды с pin-структурой. В них между р- и п-областями расположена область полупроводника с собственной проводимостью. Такие диоды являются плоскостными, но имеют очень малую емкость, что позволяет применять их на СВЧ.
7.6 Туннельный диод (УГО)
Отличительной особенностью туннельных диодов является наличие на прямой ветви ВАХ участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Благодаря этому туннельный диод может быть использован в качестве усилительного элемента.
На рисунке приведена ВАХ туннельного диода АИ301Г.
Туннельный эффект достигается за счет очень высокой концентрации примесей в р-области и п-области.
Дата добавления: 2015-06-12; просмотров: 799;