Бестрансформаторные усилители мощности

В настоящее время наибольшее распространение находят бестрансформаторные усилители мощности. Рассмотрим двухтактный усилитель мощности на биполярных транзисторах различного типа проводимости (комплементарный эмиттерный повторитель, усилитель с дополнительной симметрией) (рис. 11.9). Транзисторы усилителя работают в режиме класса В. При поступлении на вход усилителя положительной полуволны напряжения uвх транзистор Т1 работает в режиме усиления, а транзистор Т2 – в режиме отсечки. При поступлении отрицательной полуволны транзисторы меняются ролями.

 

 

Рис. 11.9. Бестрансформаторный двухтактный усилитель мощности

Максимально возможная мощность нагрузки определяется выражением

.

При максимальной мощности нагрузки усилитель потребляет от источников питания мощность, определяемую выражением

.

Отсюда получаем максимально возможный коэффициент полезного действия усилителя

.

Для уменьшения нелинейных искажений обеспечивают некоторое начальное смещение на входах транзисторов и тем самым переводят их в режим класса АВ (рис. 11.10). При этом коэффициент полезного действия несколько уменьшается.

 

Рис. 11.10. Двухтактный усилитель АВ-класса

Рассмотрим двухтактный усилитель мощности с операционным усилителем (рис. 11.11). В схеме использована общая отрицательная обратная связь (резисторы R1 и R2), охватывающая оба каскада (на операционном усилителе и на биполярных транзисторах), благодаря которой схема создает настолько малые нелинейные искажения, что часто не требует дополнительных цепей смещения для каскада на транзисторах Т1 и Т2.

 

Рис. 11.11. Двухтактный усилитель мощности с операционным усилителем

Поскольку напряжение на нагрузке Rн примерно равно напряжению на выходе ОУ, то мощность на выходе всего усилителя ограничивается выходным напряжением ОУ.

 

я диаграмма собственного полупроводника. Ширина запрещенной зоны. Распределение Ферми. Температурный потенциал.
Примесный полупроводник n-типа. Уровень Ферми. Зонная диаграмма примесного полупроводника. Концентрация дырок и электронов. Примесный полупроводник р-типа. Уровень Ферми. Зонная диаграмма примесного полупроводника р-типа. Концентрация дырок и электронов.
Температурный диапазон работы примесных полупроводников. Уравнение нейтральности. Термогенерация. Рекомбинация. Скорость рекомбинации. Время жизни. Закон действующих масс
Токи в полупроводниках. Дрейфовый и диффузионный токи. Уравнения непрерывности и диффузии. Стационарное уравнение диффузии. Зависимость плотности диффузионного тока от координаты. Ток рекомбинации.








Дата добавления: 2015-05-26; просмотров: 944; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию, введите в поисковое поле ключевые слова и изучайте нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам понравился данный ресурс вы можете рассказать о нем друзьям. Сделать это можно через соц. кнопки выше.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2022 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.007 сек.