Фотодиоды. Полупроводниковые диоды, в которых под дейст­вием падающего светового потока образуются подвижные носители за­рядов

Полупроводниковые диоды, в которых под дейст­вием падающего светового потока образуются подвижные носители за­рядов, создающие дополнительный ток через обратно-смещенный р-n- переход, называют фотодиодами. Принципиальное устройство приведено на рис. 6.2. В таблет­ку германия n-типа вплавляется таблетка индия, что приводит к образованию р-n - перехода. Толщина участка полупроводника от облучаемой поверхности до границы p-n- перехода l должна быть не более диффузионной длины носителей заряда (l < L_диф.) рис. 6.2.

Рис. 6.2

Кроме обыкновенных р-n-переходов, могут использоваться переходы р- i-n- структуры, ДБШ- и гетеропереходы. Рабочим режимом являет­ся подключение обратного напряжения к диоду.

Основными характеристи­ками являются: вольтамперная, спектральная, энергетическая и частот­ная, рис. 6.3, а –г соответственно. На рис. 6.3, б кривая 1 соответствует германиевому диоду, 2 – кремниевому.

Рис. 6.3