С ПОМОЩЬЮ ХАРАКТЕРИОГРАФА CРЕДЫ MS10
Снять семейство выходных характеристик биполярных транзисторов в схеме с ОЭ или полевых транзисторов в схеме с ОИ можно с помощью характериографа IV Analyzer, подключая соответствующие выводы транзисторов к его входам, например модели 2N2222A (рис. 23.6).
Границы изменения напряжения на коллекторе UK (V_ce), тока базы IБ (I_b) и числа фиксированных уровней тока базы (Num steps) можно установить в диалоговом окне (рис. 23.7), (см. рис. 23.6). Если щелкнуть мышью вначале в поле семейства ВАХ транзистора (см. рис. 23.6), а затем в открывшемся окне (рис. 23.8, а) на закладках Hide Select Marks (Выделение ВАХ маркерами) и Select Trace ID (Выбор ВАХ IK(UK) из семейства выходных характеристик по заданному току базы, см. рис. 23.8, б), то при щелчке мышью на кнопке OK и закрытии окон выбранная ВАХ будет выделена треугольными маркерами (см. рис. 23.6), а при движении визирной линии внизу рисунка выводятся координаты точек (значения напряжения UK и тока IK) выделенной ВАХ, в которых их пересекает визирная линия. Значение тока базы IБ (I_b)
выводится в левом нижнем углу рисунка.
При щелчке мышью на любой кривой ВАХ маркеры перемещаютя на неё, а в нижней строке выводятся значение тока базы и координаты точки пересечения визира с выделенной кривой ВАХ.
Записав координаты двух точек ВАХ при двух фиксированных положениях визира на линейном участке характеристики (например, при заданном токе IБ1 = 0,74 мA, UK1= 1,5 В и IK1 » 74,13 мА, а при UK2= 2 В, IK2 » » 77,58 мА), вычислим выходное динамическое сопротивление транзистора
Rвых = ΔUK/ΔIК = 0,5/0,00345 » 145 Ом,
а записав при фиксированном напряжении на коллекторе (например, UK = = 1,5 В) два значения тока коллектора при двух значениях тока базы (например IK1 = 74,13 мАпри IБ1 = 0,74 mAи IK2= 90,09 мА при IБ2 = 0,97 мA) найдём коэффициент передачи тока транзистора в схеме с ОЭ по формуле:
h21Э = ΔIK/ΔIБ = 15,96/0,23 » 69,4.
На рис. 23.9 представлено семейство ВАХ модели полевого транзистора 2N3823 (UС×max = 100 В; напряжение отсечки UЗО = -3,3 В) c управляющим затвором типа р-п-перехода и с каналом п-типа, снятое с помощью характериографа IV Analyzer при изменении напряжения сток-исток (drain-source) UСИ (V-ds) от 0 до 20 В, напряжени затвор-исток (gate-source) UЗИ (V-gs) от -3,5 В до 0,5 В и числе фиксированных уровней напряжения затвора N = 6.
Переместим визир в окне характериографа в положение, при котором напряжение стока UC = 10 В, и запишем значения тока стока при двух напряжениях затвора транзистора, например, при UЗ = - 0,3 В ток стока IС = = 10,87 мА, а при UЗ =-1,13 В ток IС = 5,86 мА. Тогда крутизна управляющей стоко-затворной характеристики IС(UЗ) транзистора при UC = 10 В равна
S = ΔIC /ΔIЗ » /0,8 = 6,25 мА/B.
Подобным образом с помощью характериографа IV Аnalyzer можно снять ВАХ и определить параметры других моделей биполярных и полевых транзисторов, записанных в библиотеке среды MS10, учитывая знаки полярности их электродов и устанавливая на них соответствующие границы изменения напряжений, ориентиром для которых служат паспортные данные транзисторов.
В библиотеке компонентов среды MS10 имеется большое количество моделей номинированных импортных транзисторов, отечественные аналоги которых можно найти в справочниках [10, 11]. Например, аналогом импортного транзистора типа IRFL710 является отечественный транзистор типа КП731А, транзистора 2N3906 – транзистор КТ6136A, транзистора 2N2222А – транзистор КТ3117Б и т. д.
Подробную информацию о параметрах транзистора можно найти в диалоговом окне, после двойного щелчка мышью на изображении и закладке Edit Component in BD. В качестве примера в табл. 23.1 приведены некоторые параметры (всего их 41) модели биполярного транзистора 2N2222А и их обозначения, принятые в среде MS10 и в данной работе.
Т а б л и ц а 23.1
Наименование параметра | Обозначение и значение параметра в MS10 | Обозначение и значение параметра в Lr23 |
Обратный ток коллекторного перехода | IS = 0,2046 pA | IK0 = 0,2046 пА |
Идеальный максимальный коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ | BF = 296,5 | h21Э = b = 296,5 |
Напряжение, близкое к максимальному напряжению коллектора | VAF = 10 V | UK.max = 10 B |
Обратный ток эмиттерного перехода | ISE = 0,1451 pA | IЭ0 =0,1451 пA |
Максимальный ток коллектора | IKF = 77,25 mA | IK.max = 77,25 мА |
Объёмное сопротивление базы | RB = 4 W | RБ = 4 Ом |
Объёмное сопротивление эмиттера | RE = 85,73 mW | RЭ = 85,73 мОм |
Объёмное сопротивление коллектора | RC = 0,4286 W | RК = 0,4283 Ом |
Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер | VJE = 0,95 V | ЕБЭ = 0,95 В |
Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор | VJC = 0,4 V | ЕБK = 0,4 В |
Ёмкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении | CJE = 11 pF | CЭ = 11 пФ |
Ёмкость коллекторного перехода при нулевом напряжении | CJC = 32 pF | CK =32 пФ |
Время переноса заряда через базу | TF = 0,3 nsec | tпер = 0,3 нс |
Дата добавления: 2015-05-08; просмотров: 1299;