Составной транзистор
Биполярный составной транзистор (схема Дарлингтона) состоит из двух транзисторов, включенных, как показано на рисунке 2.5. Ток коллектора составного транзистора состоит из IК= IК1+IК2. IК1=h21Э(1)×IБ1 , IК2=h21Э(2)×IБ2= h21Э(2)×IЭ1= h21Э(2)× IБ1(1+h21Э(1))× Индекс в скобках указывает номер транзистора. Тогда коэффициент передачи по току составного транзистора будет равен h21Э=IК/ IБ= h21Э(1)+ h21Э(1) × h21Э(2)+ h21Э(2)» h21Э(1) × h21Э(2). А входное сопротивление h11Э= h11Э(1)+ (1+h21Э(1))× h11Э(2) или h11Э» h21Э(1) × h11Э(2).
Рисунок 2.5 Таким образом, входное сопротивление и
коэффициент передачи по току составного транзистора увеличивается примерно в h21Э(1) раз. Заменяя в ДУ транзисторы VT1 и VT2 на составные, получим значительное увеличение входного сопротивления ДУ (сотни кОм), однако, коэффициент усиления почти не изменится.
Дальнейшее увеличение входного сопротивления ДУ можно получить, используя полевые транзисторы, а увеличение KU применением динамической нагрузки [3] .
Дата добавления: 2015-04-21; просмотров: 843;