Фотодиод. Поняття композиція виробу, предмета, речі або їх комплексу пов’язано з поняттям їх образності та художньої виразності.

Поняття композиція виробу, предмета, речі або їх комплексу пов’язано з поняттям їх образності та художньої виразності.

Композиційна якість – завершальна фаза, до якої яка наступає лише після детального і всебічного аналізу всіх утилітарних і функціональних вимог до виробу.

Вироби повинні мати оригінальну композицію і єдність форми, однак це не є самоціллю. Всі вироби обов’язково повинні погоджуватися з функціональними вимогами, інакше порушується технологічний процес виготовлення виробів.

Закономірним продовженням художньо-конструкторського аналізу є художньо-конструкторський синтез або творчі пошуки при проектуванні і створенні нових виробів, більш досконалих, ніж існуючі зразки цього типу.

Аналіз та художньо-конструкторський синтез можуть забезпечити досконалу розробку не лише окремого зразка, але й цілого типологічного ряду зразків подібного виробу.

Фотодиод

Фотодиод, полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптического излучения. Фотодиод представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (р–n-переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из которых выполняют Фотодиод, служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др.

Различают 2 режима работы Фотодиод: фотодиодный, когда во внешней цепи Фотодиод содержится источник постоянного тока, создающий на р–n-переходе обратное смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Фотодиод, как и фоторезистор, используют для управления электрическим током в цепи, в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители, диффундируют через р–n-переход и ослабляют электрическое поле последнего. Фототок в Фотодиоде в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Фотодиод, как и полупроводниковый фотоэлемент, используют в качестве генератора фотоэдс.

Рисунок 1 Структурная схема фотодиода и схема его включения при работе в фотодиодном режиме: 1 - кристалл полупроводника; 2 - контакты; 3 - выводы; Ф - поток электромагнитного излучения; n и р - области полупроводника соответственно с донорной и акцепторной примесями; Е - источник постоянного тока; Rн - нагрузка.

Интегральной микросхемой, или сокращённо ИМС, называют монолитное изделие, предназначенное для исполнения функций заданного каскада или целой системы, компоненты которого соединены между собой определённым образом, и которые нельзя отделить один от другого демонтажными операциями.

По сути, микросхема объединяет в себе какую-то электронную схему, где все элементы (транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы) и электрические связи между ними конструктивно выполнены на одном кристалле. Поскольку размеры отдельных компонентов очень малы (микро- и нанометры), то на одном кристалле при современном развитии технологий, можно поместить более миллиона электронных компонентов.

Различают аналоговые микросхемы, которые непрерывно отслеживают и воздействуют на сигнал, и цифровые микросхемы, которые дискретно преобразуют и обрабатывают информацию. Микросхемы классифицируют по степени интеграции, которая равна логарифму от числа деталей n, размещённых в одной ИМС: k = ln n. По методу получения различают три вида ИМС: плёночные, полупроводниковые и гибридные.

В плёночных ИМС детали и соединения осуществляют путём получения плёнок малой толщины с различными свойствами, выполненных на подложке из не проводящего электрический ток материала. Плёночные микросхемы разделяют на две группы: на тонкоплёночные с толщиной плёнки менее 1 мкм и толстоплёночные с большей толщиной, часто составляющей порядка 20 мкм. Различие тонкоплёночных и толстоплёночных ИМС заключено не только в количественной толщине плёнок, но прежде всего в технологии их нанесения.

В полупроводниковых ИМС детали и соединения образованы специальными технологическими методами в кристалле полупроводника. Совмещённой называют такую полупроводниковую ИМС, в которой одна часть деталей выполнена методом тонкоплёночной, а другая часть – методом полупроводниковой технологии.

В гибридных ИМС, сокращённо называемых ГИС, резисторы и некоторые другие пассивные компоненты получают на диэлектрической подложке методом тонкоплёночной технологии, а дискретные бескорпусные активные компоненты располагают рядом на подложке и соединяют проволокой с контактными площадками.