Искусственные основания

Если грунты основания в пределах сжимаемой толщи не обладают необходимой несущей способностью (насыпные грунты торфянистые, рыхлые песчаные к суглинистые грунты с большим содержанием органических остатков и т, п.), их искусственно укрепляют или применяют фундаменты, передающие нагрузки на нижележащие прочные грунты, в частности, свайные фундаменты. Выбор свайных фундаментов или способа укрепления грунтов производится технико-экономическим сопоставлением различных вариантов устройства оснований и фундаментов.

В массовом гражданском строительстве, как правило применяют искусственные основания двух типов: основание создаваемое уплотнением грунта, и основание, создаваемое его закреплением,

При слабых грунтах часто используют песчаные подушки. Искусственное закрепление слабых грунтов достигается цементацией, термическим способом, химическим закреплением или силикатизацией грунтов.

Термический способ закрепления грунта состоит в нагнетании в толщу грунта под давлением через трубы воздуха нагретого до 600—800 °С, или в сжигании горючих продуктов, подаваемых в герметически закрытую скважину под давлением. Термический способ глубинного уплотнения грунта применяют для устранения просадочных свойств лёссовых грунтов на глубине до 10 ... 15 м. Обожженный грунт образует фильтрующий слой сквозь который вода может проникнуть через толщу просадочного грунта на устойчивый непросадочный грунт. Обожженный грунт приобретает свойства керамического тела, не намокает и не набухает.

Цементация грунтов осуществляется нагнетанием в грунт через забитые в него трубы цементной суспензии, цементно-глинистых растворов. Цементация применяется для укрепления гравелистых, крупно- и среднезернистых песков, для заделки трещин и полостей в скальных грунтах.

Силикатизациясостоит в инъекции через трубы в грунт растворов жидкого стекла и хлористого кальция и применяется для укрепления песчаных пылеватых грунтов, плывунов и макропористых грунтов. Инъекция делается на глубину 15,.. 20 м и более а радиус распространения силикатизации достигает 1 м.

Существуют и некоторые другие методы создания искусственных оснований (искусственное замораживание грунтов, шпунтовое ограждение и др., рассматриваемые в специальных курсах).