Сегнетоэлектрический оксид гафния. Перебудова радянського суспільства в останні роки функціонування СРСР не стала прикладом до змін в Україні

Перебудова радянського суспільства в останні роки функціонування СРСР не стала прикладом до змін в Україні. Тут продовжувалася політика попередніх років правління за моделлю Л.Брежнєва і М.Суслова, яка передбачала денаціоналізацію і духовне спустошення. Цю політику підтримував перший секретар ЦК КПУ В.Щербицький. В Україні активно поширювалася русифікація, катастрофічно зменшувалася кількість шкіл з українською мовою навчання, у вузах українською мовою читалося близько 5% лекцій. На 1988/89 навчальний рік не залишилося жодної української школи в Донецьку, Чернігові, Харкові, Луганську, Одесі, Миколаєві. Українські театри перейшли на так званий двомовний режим. Частка українців зменшилася з 76,8% у 1959 р. до 72,6% у 1989 р., тоді як частка росіян збільшилася з 16,9 до 22%. Українська мова витіснялася з усіх сфер суспільного життя, духовне життя занепадало.

Розбудив Україну Чорнобиль. Все, що робилося в дні після аварії на ЧАЕС керівництвом центральних органів СРСР і України, було злочином перед людством і зокрема перед українським народом.

Першими, хто подав голос на захист збереження української культури, навколишнього середовища, відродження правдивої історії України, були письменники. Широкий резонанс у суспільстві мали виступи О.Гончара, І.Дзюби, І.Драча, В.Дрозда, В.Яворівського, Ю.Щербака, Б.Олійника і багатьох ін. Ґрунтовний аналіз занепаду української культури зробив О.Гончар на Всесоюзній творчій конференції у Ленінграді 1 жовтня 1987 р.

У червні 1989 р. під Неаполем за участю провідних українських учених з діаспори та України, відомих славістів Європи було засновано міжнародну асоціацію україністів (МАУ), президентом якої став відомий літературний критик І.Дзюба. А через кілька днів у Львові відновило свою діяльність Наукове товариство ім. Т.Шевченка.

Знаменною подією загальнокультурного значення стало видання українською мовою з весни 1990 р. журналу “Кур’єр ЮНЕСКО”.

У 1989 р. Верховна Рада прийняла “Закон про мови в Українській РСР”, яким українська мова оголошувалася державною. При цьому реалізація Закону наштовхнулася на ускладнення, пов’язані з небажанням змінювати мову ділового спілкування більшістю установ. Українська мова за інерцією сприймалася ще як провінційна та селянська, слабко розвинена і взагалі непрестижна.

Роль авангарду в розвитку української культури, ліквідації “білих плям історії” відіграла Спілка письменників України та її центральний орган – газета “Літературна Україна”. Публіцистика зайняла провідні позиції. Почали друкуватися заборонені раніше твори В.Винниченка, М.Грушевського, М.Зерова, М.Хвильового, О.Ольжича, інших репресованих поетів і письменників, представників української діаспори.

Поступово змінилися акценти в питаннях віровизнання, проголошено забезпечення права свободи совісті. Почалася відбудова багатьох запустілих, використовуваних як господарські споруди і просто недоруйнованих протягом 20-80-х рр. церковних приміщень, легалізували свою діяльність українські греко-католики, відновився рух серед православних щодо відновлення незалежності української православної церкви від Московського патріархату.

У галузі освіти було взято курс на її гуманізацію, засвоєння учнями й студентами загальнолюдських цінностей. Проте фінансування цієї сфери було недостатнім.

Суттєві зрушення відбулися в історичній науці. По-новому було розглянуто і досліджено події Визвольної війни українського народу середини ХVІІ ст., діяльність І.Мазепи, М.Грушевського, В.Винниченка, С.Петлюри та інших видатних громадсько-політичних діячів України.

49. Проголошення незалежності України (24 серпня 1991 р.) і розбудова самостійної держави Україна створили принципово нові, формально цілком сприятливі умови для розвитку культури. 19 лютого 1992 р. Верховна Рада України ухвалила “Основи законодавства про культуру”, яким передбачені заходи щодо подальшого розвитку української національної культури. Того ж року була розроблена Державна національна програма “Українська освіта в ХХІ ст.”, а Верховною Радою прийнято “Закон про освіту”.

Скромнішими є успіхи сучасного українського кіномистецтва. Вийшло багато документальних фільмів, присвячених, в основному, історичному минулому України. Створено декілька багатосерійних фільмів, серед них “Сад Гетсиманський” за мотивами творів І.Багряного, “Пастка” (за І.Франком), телесеріал “Роксолана” та ін. На 34-му кінофестивалі в Сан-Ремо українському фільму “Ізгой” (за мотивами повісті А.Дімарова, режисер В.Савельєв, продюсер А.Браунер, ФРН) присуджено Гран-прі. На жаль, більшість талановитих українських кіноакторів сьогодні зайняті в інших сферах діяльності (театр, реклама, телебачення).

Продовження розвитку сучасного театрального мистецтва в Україні пов’язане передусім з діяльністю таких яскравих режисерів, як Р.Віктюк, Б.Жолдак, С.Данченко, Б.Шарварко.

Позитивним моментом у роботі державного телебачення стала трансляція художніх фільмів і телесеріалів українською мовою, перекомутація з 1995 р. УТ на канал, що раніше займало ОРТ, хоча робота Першого Національного мала б здійснюватися на значно кращому, ніж досі, рівні. Суттєво змінило зміст своїх програм Українське радіо.

Розвиток української популярної музики останнього десятиліття пов’язаний з іменами І.Білик, П.Зіброва, Т.Повалій, О.Пономарьова, Руслани, А.Кравчука, Ані Лорак, В.Павлика, І.Сказіної та ін. Їх поява і творча еволюція щільно пов’язана з необхідністю задоволення потреби у своїй національній популярній розважальній музиці як складовій шоу-бізнесу. Практично кожен із перелічених виконавців має свою групу палких прихильників у всіх населених пунктах України.

50. Проблеми розвитку культури України у ХХІ столітті.

Складним є розвиток літературного процесу в Україні. З одного боку, продовжують творити письменники й поети старшого покоління: І.Драч, В.Дрозд, Р.Іваничук, П.Загребельний, Л.Костенко, Ю.Мушкетик, Б.Олійник, Д.Павличко. З іншого боку, література відчуває на собі тиск ринку, вона змушена йти за читачем (покупцем). Ця тенденція сприяє розвитку масової та популярної літератури, переважно російськомовної. Розквітають такі жанри, як фантастика, детектив, любовно-авантюрний роман. Відомими далеко за межами України письменниками-фантастами є Генрі Лайон Олді (колективний псевдонім Д.Громова та О.Ладиженського), А.Валентинов, М.та С.Дяченки, майстром любовно-авантюрного жанру вважається Симона Вілар (Н.Гавриленко).

Сегнетоэлектрический оксид гафния.

Будучи среди первых новых концепций энергонезависимой памяти (Non-Volatile Memory), сегнетоэлектрические устройства оперативной памяти (FRAM) успешно утвердилась на рынке. По сравнению с другими концепциями (например, MRAM, RRAM, PCRAM), управляемых током, низкое потребление мощности управляемых полем (основаны на эффекте поля) операций памяти в FRAM, делает потенциал таких устройств бесспорным. Тем не менее, современное состояние FRAM, основанных на сложных системах перовскита, по-прежнему страдает от недостаточной масштабируемости и различных ограничений, так как сегнетоэлектрики на основе перовскита нуждаются в специальных интегральных схемах в отношении травления, термальной устойчивости и чувствительности к водороду. Кроме того физическая высота затворного стека, сделанного из high-k диэлектрика с низкими коэрцитивными силами, превышает несколько сотен нанометров и не соответствует нынешнему плану масштабируемости (2х нм длины затвора) (рис. 1). Использование сегнетоэлектрической фазы в диоксиде гафния (FE-HfO₂) (диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости) хорошо зарекомендовало себя в устройствах логики и памяти. Уже были получены данные, что разрыв масштабируемости, сложившийся с момента введения сегнетоэлектрических полевых транзисторов и составляющий два порядка, был достигнут 28 нм технологических норм (рис. 2).

Диоксид гафния является диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью (~20) и обладает стабильностью при высоких температурах. Кристаллические фазы и скрытые модификации диоксида гафния (HfO₂) и диоксида циркония (ZrO₂) хорошо изучены, а возможность управления фазовым переходом с помощью добавления подходящих примесей было решающим фактором использования этих оксидов переходных металлов в микроэлектронике. Как следствие, электрические свойства легированных HfO₂ тонких пленок активно исследовались. На границе моноклинной и тетрагональной фаз Si:HfO₂ была обнаружена промежуточная сегнетоэлектрическая фаза. После этого, сегнетоэлектричество в HfO₂ было установлено для некоторых легирующих добавок, которые, как известно, провоцируют такого рода переходы; например, меньше 10 мол.% Y, Al, Gd, Sr и La, а также и для тонких пленок твердого раствора HfO₂-ZrO₂ (рис. 3).

Основываясь на макроскопических и мезоскопических электрических и электромеханических наблюдениях, так же как и на структурных данных и фундаментальных соображениях, предполагается, что сегнетоэлектричество в HfO₂ собственного происхождения. В отличие от искусственного сегнетоэлектрического поведения, вызванного паразитными эффектами (например, захват заряда), P-E-гистерезис FE-HfO₂ частотнозависим и выражается в характерном, нелинейном малосигнальном C-E-отклике (рис. 4, а). Пьезоэлектрическая активность, другое неотъемлемое свойство всех сегнетоэлектриков, проявляется как в макроскопическом (рис. 4, а), так и в мезоскопическом масштабе (рис. 4, b). Плотное распределение сегнетоэлектрической активности по поверхности пленки FE-HfO₂ , как далее показал PFM (Piezoresponse Force Microscopy), является необходимым условием для реализации высокомасштабируемых сегнетоэлектрических устройств. В дополнение к электрическим данным, подробные структурные исследования моноклинно-тетрагонального фазового перехода выявляет существование промежуточной орторомбической фазы, лучше всего соответствующей нецентросимметричной дифракционной картине и, таким образом, потенциально сегнетоэлектрической пространственной группе Pbc2₁ (рис. 5). Эти наблюдения подтверждаются соображениями свободной энергии фазовой стабильности в HfO₂-ZrO₂ (рис. 6). В соответствии с экспериментальными данными появление полярной Pbc2₁ фазы в твердом растворе HfZrO₄ энергетически благоприятно.

Такие новые сегнетоэлектрические диэлектрики достаточно интересны как альтернатива традиционным перовскитным материалам, которые использовались в прошлом в FRAM. Такие диэлектрики недавно были включены в различные типы устройств памяти, в том числе в сегнетоэлектрические MIM конденсаторы и сегнетоэлектрическую память с плавающим затвором, а сегнетоэлектрические полевые транзисторы показывают, что могут использоваться более тонкие слои диэлектрика, чем это было возможно ранее. Кроме того для PFET (p-канальный полевой транзистор) недавно было установлено наличие ультра крутого наклон подпороговой вольтамперной характеристики (<60 мВ/дек.) при использовании таких диэлектриков. Включения таких примесей, как Si, Al или Y приводит к появлению нецентросимметричной сегнетоэлектрической фазы. Остаточная поляризация и коэрцивная сила подзатворного диэлектрика являются достаточными для появления значительного сдвига порогового напряжения. Физическая толщина пленки такого сегнетоэлектрического затворного стека находится в пределах толщин, используемых в современных технологических нормах ( ≤ 10 нм). Это делает сегнетоэлектрический полевой транзистор неплохим кандидатом будущей технологии памяти.