Диодов и транзисторов

Цель работы: изучение характеристик и параметров полупроводниковых приборов, приобретение навыков работы с цифровыми и аналоговыми измерительными приборами.

Подготовка к работе

а) изучить теоретический материал по темам «Физические основы полупроводниковых приборов» и «Полупроводниковые приборы».

б) выписать из справочника данные на диоды Д9 и КД522, транзистор КТ315, проанализировать параметры указанных приборов.

в) изучить устройство лабораторного стенда.

Порядок выполнения работы

а) снять характеристики диодов.

1) при помощи внешних соединений собрать схему для снятия прямой ветви вольтамперной характеристики (ВАХ) диодов.

2) снять и построить на миллиметровой бумаге прямую ветвь ВАХ кремниевого и германиевого диода.

3) при помощи внешних соединений собрать схему для снятия обратной ветви ВАХ диодов.

4) снять и построить на миллиметровой бумаге обратную ветвь ВАХ кремниевого и германиевого диода.

5) проанализировать полученные результаты.

б) снять характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

1) произвести общую проверку работоспособности транзистора.

2) снять входную ВАХ транзистора для двух значений напряжения U_КЭ=0 и U_КЭ=2 В.

3) снять выходную характеристику транзистора для нескольких значений входного сигнала. Величина входного тока задается преподавателем.

4) по входным характеристикам транзистора определить входное сопротивление h_11э.

5) по выходным характеристикам определить коэффициент передачи h_21э и выходное сопротивление.

Методические указания к выполнению работы

Общая проверка исправности производится с помощью тестера. В транзисторе необходимо проверить исправность двух p-n-переходов эмиттерного и коллекторного, а также отсутствие "сквозного" пробоя между эмиттером и коллектором. Сравнивая величину сопротивлений переходов в прямом и обратном направлениях, судят об исправности транзистора. При изменении сопротивления транзистора между выводами эмиттера и коллектора прибор не должен показывать короткого замыкания.

Следует подчеркнуть, что такая проверка позволяет лишь грубо оценить работоспособность транзистора и не может заменить детального измерения характеристик и параметров транзистора.

Перед выполнением данных разделов лабораторной работы необходимо предварительно ознакомиться с характеристиками и параметрами предложенного типа полупроводникового прибора по справочным данным. На основании этих сведений необходимо подготовить оси координат для построения входных и выходных характеристик транзистора и таблицы для записи экспериментальных результатов.

На выходную характеристику транзистора нанести предельно допустимые значения тока, напряжения и гиперболу предельной мощности, рассеиваемой на коллекторе.

При снятии входных характеристик следует помнить, что они снимаются при постоянном напряжении на коллекторе. Поэтому при каждом изменении режима входной цепи необходимо проверять величину напряжения на коллекторе и, если необходимо, восстанавливать ее заданное значение.

При снятии выходных характеристик необходимо тщательно избегать вывода рабочей точки транзистора за пределы допустимых предельных значений по величине коллекторного тока, напряжения на коллекторе и предельной мощности, рассеиваемой на коллекторе. Для этого все экспериментально полученные точки выходной характеристики наносятся на заготовленный график непосредственно в процессе измерения. Это дает возможность своевременно ограничивать пределы задаваемых токов и напряжений. Несоблюдение этого правила может привести к выходу транзистора из строя.