Транзистордың балама сұлбалары және параметрлер жүйесі

5.8.1 Физикалық Т-тәріздес балама сұлба

5.12-суретте ортақ базалы транзистордың Т-тәріздес балама сұлбасы келтірілген, мұндағы: − базаның активті облысының көлемдік кедергісі (100…400) Ом;

aI_Э – трснзистордың активті қасиеттерін бейнелейтін ток генераторы – эмиттер тогын I_э коллектор тізбегіне беру эффектісі;

a−эмиттер тогының беріліс еселігі;

r_э− эмиттерлік өткелдің дифференциалдық кедергісі; (ондаған килоом),

әдетте I_э>>I_эо, онда r_э= . Мысалы, I_э=1мА болса, r_э=26 Ом; r_к – коллекторлық өткелдің дифференциалдық кедергісі, r_к = жүздеген кОм; С_к – коллекторлық өткелдің тосқауылдық сыйымдылығы;

С_э – эмиттерлік өткелдің диффузиялық сыйымдылығы.

5.13-суретте ортақ эмиттерлі Т-тәріздес физикалық балама сұлба келтірілген, мұндағы b ток генераторы I_б база тогының коллектор тізбегіне берілуін бейнелейді.

Коллектор кернеуінің өсімшесі екі өткелге де бөлінгендіктен,

С_кэ ¹ С_к; r_кэ¹ r_к;

5.8.2 Транзисторды балама төрт полюстікпен алмастыру сұлбасы

Биполюсті транзисторларға арналған анықтамалықтарда, әдетте, аз сигналды деп аталатын h-параметрлер келтіріледі. Бұл параметрлер қолдануға өте ыңғайлы, өйткені кез келген қосылу сұлбасында транзистор активті төрт полюстік түрінде келтіріле алады (5.14-сурет), оның кірісінде U₁ кернеуі және I₁ тогы ағады, ал шығысында – U₂ кернеуі және I₂ тогы болады. Теңдеулер жүйесі мынандай түрде жазылады

;

.

Теңдеулерге еселіктер ретінде кіретін, берілген h-параметрлер, мынадай физикалық мағына береді

– шығыстағы қысқа тұйықталу кезіндегі кіріс кедергі (айнымалы ток бойынша);

h₁₂ = ₌₀ – кірістегі бос жүріс кезіндегі кернеу бойынша кері байланыс еселігі (айнымалы ток бойынша), шамамен 10^-5 төңірегінде, көптеген жағдайларда есептеулерде аздығына байланысты ескерілмейді;

h₂₁ = ₌₀ – шығыстағы қысқа тұйықталу кезіндегі ток беру еселігі;

h₂₂ = ₌₀ – кірістегі бос жүріс кезіндегі транзистордың шығыс өткізгіштігі.

Транзисторлар үшін әдетте a, b еселіктерін емес, олардың бірінші дәрежелі жуық мәніне сәйкес ОБ және ОЭ сұлбалары үшін тиісінше h_21б және h_21э параметрлерін береді.

ОЭ сұлба үшін h-параметрлердің физикалық параметрлермен байланысы мына түрде болады

h₁₁ = r^’_Б + r_Э∙(1+b);

h₁₂ = r_Э∙(1+b)/r_К;

h₂₁ =b;

h₂₂ = .