Справочные данные по элементной базе инверторов и преобразователей частоты

Справочные данные по транзисторам

Мощные транзисторы полевые, корпус ТО220

Таблица 7

Тип/Пр-ль Технология Uс-и.max, В Iс.N,A Uси Pmax, Вт
IRF1104/IR N,NEX 2-4
IRF1405/IR N,NEX 2-4
IRF710/Its N,MOS 2-4
BUZ80A/Ph N,MOS 2,1-4
IRF620/STM N,MOS 2-4
IRF740/IR N,NEX 2-4
IRF6215/IR P,NEX -150 (-2)-(-4)
IRF9530N/IR P,NEX -100 (-2)-(-4)
IRF9540N/IR P,NEX -100 (-2)-(-4)
IRF5305N/IR N,NEX -55 (-2)-(-4)
IRF5210N/IR N,NEX -100 (-2)-(-4)
IRF3710/IR N,NEX 2-4
IRF3707/IR N,NEX 2-4
IRF3706/IR N,NEX 0,6-2
IRF1010N/IR N,NEX 2-4
STP80NF10/STM N,MOS 2-4
STP12NB30/STM N,MOS 3-5
STP80NF10/STM N,MOS 3-5
STP80NF10/STM N,MOS 2-4
STP80NF10/STM N,MOS 5,4 3-5
STP80NF10/STM N,MOS 3-5
             

 

 

 

 

Мощные транзисторы полевые, корпус Module-s

Таблица 8

 

Тип прибора Iс.max, A Uс-и раб. В Pmax, Вт Rс-и нас. mОм Iзи max, mA Rпер-корп. 0С/mВт Θmax раб. 0С
EFM119
EFM109S
EFM089S
EFM079M113
EFM049
BSM181F
BSM151F
BSM121AR
BSM111AR 8,5
EFM029S 7,0 1,1
IRFPO64N 8,0  
IRF540  
IRF11010N  
IRF3710  
BUZ102S4  

Мощные транзисторы полевые отечественные

 

Таблица 9

Наим. изделия Тип корпу-cа Uс-и.max, В Iс.N,A Uc В Pmax, Вт tсп., нс tвкл., нс tрасс.мкс
КП946А ТО220 0,7 0,7
КП948А ТО220 0,3 1,3
КП948В ТО220 0,3 1,3
КП953А ТО218 0,45 2,0
КП953Г ТО218 0,45 2,0
КП954А ТО220 0,3 0,3
КП954Б ТО220 0,3 0,3
КП954В ТО220 0,25 0,5
КП955А ТО218 0,6 1,5
КП958А ТО218 0,2 0,5
2П7160Е КТ-97В 0,12 - - -

 

Транзисторы IGBT, корпус ТО220

Производитель International Rectifier

Таблица 10

Тип Uкэ. max, В Iк. Uкэ.нас.,В Pк.max, Вт tвкл., нс
IRG4BC10К 2,39
IRG4BC10SD 1,58
IRG4BC20F 1,66
IRG4BC20SD 1,40
IRG4BC20UD 1,85
IRG4BC30FD 1,59
IRG4BC30FD 2,21
IRG4BC30S 1,40
IRG4BC30U 1,95
IRG4BC40F 1,50
IRG4BC30S 1,72


Высоковольтные IGBT транзисторы

Таблица 11

Наименов. изделия Uкэ Iк max, A Uкэ нас В Uупр. В Pк max, Вт tвкл+tвыкл мкс fперек max., кГц
ВUР213 3,3 5,5 0,045
ВUР309 3,5 5,5 0,055
ВUР314 2,7 5,5 0,065
ВUР314D 2,7 5,5 0,065
ВUР314S 5,5 5,5 0,06
PM10CZF120 2,7 6,0 2,1
PM15CZF120 2,7 6,0 2,1
PM100CZA120 2,3 6,0 2,9
PM300DSA120 2,3 6,0 2,9
PM300DSA120 2,5 6,0 3,4

 

 

Мощные транзисторы биполярные отечественные

Таблица 12

Наим. изделия Тип корп. Uкэ огр.,В Uкбо проб., В Iк max, A Iк,и max, А Pк max, Вт h21э ед. Uкэ нас., В tрасс. мкс tсп, мкс
КТ704 КТ-10 2,5 4,0 10-100 ≤5,0 - -
КТ810А КТ-28 7,0 10-50 ≤1,0 ≤4,0 ≤0,3
КТ812А КТ-9 12,0 5-30 ≤2,5 ≤3,5 ≤1,3
КТ818А КТ-28 8,0 10-60 ≤0,5 ≤1,8 ≤0,3
КТ826Б КТ-9 1,0 10-120 ≤2,5 ≤2,5 ≤0,7
КТ838А КТ-9 7,5 6-35 ≤1,0 ≤10 ≤1,5
КТ844А КТ-9 10-50 ≤2,5 ≤2,0 ≤0,3
КТ846А КТ-9 7,5 15-100 ≤1,5 ≤4,0 ≤0,3
КТ847А КТ-9 25,0 ≥8 ≤1,5 ≤3,0 ≤0,8
КТ858А КТ-28 10,0 ≥10 ≤1,0 ≤2,5 ≤0,7
КТ935Б КТ-97 30,0 15-50 ≤1,0 ≤1,5 ≤0,2
КТ997А КТ-28 20,0 ≤1,0 ≤0,5 ≤0,1
2КТ945А КТ-9 25,0 12-60 ≤2,5 ≤1,1 ≤0,24
2КТ998 КТ-10 15,0 ≥30 ≤1,5 ≤0,2 ≤0,05
2Т827А КТ-9 ≥750 ≤2,0 ≤4,5 ≤1,2
2Т834А КТ-9 ≥150 ≤2,0 ≤6,0 ≤0,5

 

 

Мощные импортные транзисторы биполярные

Таблица 13

Наим. изделия Uкэ огр. Iк max, A Pк max, Вт h21э ед. Uкэ нас., В tрасc. мкс tсп, мкс Rпер-корп. 0С/mВт Θmax раб., 0С
1D200AO20 2,5 2,0 3,0    
1D1200Z100 2,8 2,5 2,0
1D1300A000 2,0 2,5 1,2
1D1300Z100 2,8 2,5 2,0
1D130F050 2,0 3,0 4,0
1D1400A120 2,5 3,0 3,0
2SD915 2,0 3,0 4,0
B2TD019 2,5 2,5
B2TD039 2,5 0,5 1,8
B2TD059 2,5 1,8 1,8
B2TD109 2,5 1,2 0,9
B2TD139S 2,5 3,0 3,0
B2TD149 2,5 1,0 0,5
SK75DB060D 2,5 2,5 3,0
SK75DB100D 2,5 2,5 3,0
SK50DM060D 2,0 1,5 3,0
SK50DB100D 2,5 2,5 3,0
SK30DB045D 3,0 - 0,7
SK15DB080D 3,0 - 1,5
SK30DB100D 2,5 2,5 3,0
SK150DB060D 2,5 3,0 3,0

 

 








Дата добавления: 2019-04-03; просмотров: 477;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.01 сек.