В) полупроводника с донорной примесью
Удельное электрическое сопротивление легированного полупроводника существенно зависит от концентрации примесей. При концентрации примесей 1020 ÷ 1021 на 1 см3 вещества оно может быть снижено до 5·10-6 Ом·м для германия и 5·10-5 Ом·м для кремния.
Основное значение для работы полупроводниковых приборов имеет электронно-дырочный переход, который называют р-п-переходом (область на границе двух полупроводников, один из которых имеет дырочную, а другой - электронную электропроводность).
На практике p-n-переход получают введением в полупроводник дополнительной легирующей примеси. Например, при введении донорной примеси в определенную часть полупроводника р-типа в нем образуется область полупроводника n-типа, граничащая с полупроводником р-типа.
Схематически образование p-n-перехода при соприкосновении двух полупроводников с различными типами электропроводности показано на рис. 80. До соприкосновения в обоих полупроводниках электроны, дырки, ионы были распределены равномерно (рис. 80 а).
Рис. 80. Образование p-n-перехода: распределение носителей заряда
Дата добавления: 2015-09-11; просмотров: 1322;