Симистор

Структура симистора представлена на рис. 3.39, а. Основу симистора составляет многослойная структура р₁-n₁-n₂-р₂-n₃-n₄, в которой электрод В₁ частично шунтирует области p₁-n₁, а управляющий элект­род - области р₂-n₄. Если к силовым электродам В₁, и B₂ подвести на­пряжение: плюс на B₁, отрицательный потенциал относительно В₂ к УЭ, то электроны области n₄ пройдут через переход П₄ и обогатят об­ласть p₂. Потенциальный барьер обратно смещенного перехода П₂ сни­жается, и по симистору от В₁, к и В₂ проходит прямой ток I_пр.

При смене полярности на силовых выводах отрицательный потен­циал электрода УЭ обеспечивает смещение П₂ и П₃ в прямом направле­нии. По структуре проходит обратный ток I_обр. В случае положитель­ной полярности на УЭ (на В1 минус, на В2 плюс) ранее закрытый пере­ход П₂ откроется вследствие инжекции электронов из области n₃, и по структуре пойдет прямой ток.

Вольт-амперная характеристика симистора изображена на рис. 3.39, в. Ветви характеристик в первом и третьем квадрантах отоб­ражают работу симистора при разных полярностях напряжения на его электродах. При отсутствии тока управления симистор отпирается напряжением любой полярности, превышающим напряжение включе­ния U_вкл. Если ток управления I_упр > 0, симистор работает аналогич­но двум встречно включенным диодам. На рис. 3.39, б приведено услов­ное графическое изображение симистора.